| 主权项 |
1.一种内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底结构,并于该基底结构上形成一绝缘层;于该绝缘层上形成一第一介电层,且该第一介电层中已形成一第一沟渠和一第二沟渠;于该基底结构上形成一第一导电层,且至少填满该第一沟渠和该第二沟渠;移除部份的该第一导电层,直到暴露出该第一介电层,藉以使得一第一导线和一第二导线分别形成于该第一沟渠和该第二沟渠中;于该基底结构上形成一第二介电层,且覆盖该第一导线和该第二导线;于该第二介电层中形成一介层窗开口,且暴露出部份该第一导线和部份该第二导线,及暴露出该第一导线和该第二导线之间的该第一介电层;去除该第一导线和该第二导线之间的该第一介电层,直到暴露出该绝缘层,以形成一开口;于该基底结构上形成一第二导电层,且填满该开口和该介层窗开口;以及移除该第二介电层上的部份该第二导电层,直至暴露出该第二介电层,藉以使得一插塞形成于该开口和该介层窗开口中,其中该插塞与该第一导线和该第二导线电性耦接。2.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该绝缘层包括氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该第一介电层包括氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该第一导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中移除部份的该第一导电层的方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该第二介电层包括氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中形成该介层窗开口和该开口的方法包括非等向性的蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该第二导电层包括钨金属层。9.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中形成该插塞之前更包括形成与该介层窗开口和该开口表面共形的一黏着/阻障层。10.如申请专利范围第9项所述之内连线的制造方法,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛和钽/氮化钽其中之一。11.一种内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底结构,并于该基底结构上形成一绝缘层;于该绝缘层上形成一第一介电层,且于该第一介电层中形成一第一导线和一第二导线;于该基底结构上形成一第二介电层,且覆盖该第一导线和该第二导线;于该第二介电层中形成一介层窗开口,且暴露出部份该第一导线和部份该第二导线,及暴露出该第一导线和该第二导线之间的该第一介电层;去除该第一导线和该第二导线之间的该第一介电层,直到暴露出该绝缘层,以形成一开口;以及于该开口和该介层窗开口中形成一插塞,该插塞与该第一导线和该第二导线电性耦接。12.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中该绝缘层包括氮化矽层。13.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中该第一介电层包括氧化矽层。14.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中形成该第一导线和该第二导线的方法包括:于该第一介电层中形成一第一沟渠和一第二沟渠;于该基底结构上形成一导电层,且至少填满该第一沟渠和该第二沟渠;以及移除部份的该导电层,直到暴露出该第一介电层的表面,藉以使得该第一导线和该第二导线分别形成于该第一沟渠和该第二沟渠中。15.如申请专利范围第14项所述之内连线的制造方法,其中该导电层包括铜、铝和铝铜合金其中之一。16.如申请专利范围第14项所述之内连线的制造方法,其中移除部份的该导电层的方法包括化学机械研磨法。17.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中该第二介电层包括氧化矽层。18.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中形成该介层窗开口和该开口的方法包括非等向性的蚀刻法。19.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中形成该插塞的方法包括:于该基底结构上形成一导电层,且填满该开口和该介层窗开口;以及移除该第二介电层上的部份该导电层,直至暴露出该第二介电层,藉以使得该插塞形成于该开口和该介层窗开口中,其中该插塞与该第一导线和该第二导线电性耦接。20.如申请专利范围第19项所述之内连线的制造方法,其中该导电层包括钨金属层。21.如申请专利范围第11项所述之内连线的制造方法,其中形成该插塞之前更包括形成与该介层窗开口和该开口表面共形的一黏着/阻障层。22.如申请专利范围第21项所述之内连线的制造方法,其中该黏着/阻障层包括钛/氮化钛和钽/氮化钽其中之一。23.一种内连线的结构,位于一基底结构上的一绝缘层之上,该内连线的结构包括:一导线,该导线位于该绝缘层上,且具有一第一区段和一第二区段;一介电层,该介电层位于该导线上,并具有一介层窗开口,以部份暴露出该第一区段和该第二区段;以及一插塞,位于该介层窗开口中,并且与该第一区段和该第二区段电性耦接。24.如申请专利范围第23项所述之内连线的制造方法,其中该导线的材质包括铜、铝和铝铜合金其中之一。25.如申请专利范围第23项所述之内连线的制造方法,其中该介电层包括氧化矽层。26.如申请专利范围第23项所述之内连线的制造方法,其中该插塞的材质包括钨金属。图式简单说明:第一图A至第一图B系绘示传统式内连线之制造流程的剖面示意图;第二图A是依照本发明之一较佳实施例,一种内连线的制造方法之部份制程的俯视图;第二图B系绘示沿着第二图A中I-I虚线所得之内连线之制造流程的剖面结构;第二图C系绘示沿着第二图A中II-II虚线所得之内连线之制造流程的剖面结构;第二图D系绘示沿着第二图A中III-III虚线所得之内连线之制造流程的剖面结构;第二图E至第二图F系绘示根据本发明之一较佳实施例,沿着第二图A中III-III虚线所得之内连线之制造流程的剖面结构;第二图G是依照本发明之一较佳实施例,一种内连线的制造方法之制造流程的俯视图;第二图H系绘示沿着第二图G中IV-IV虚线所得之内连线之制造流程的剖面结构;以及第二图I系绘示沿着第二图G中V-V虚线所得之内连线之制造流程的剖面结构。 |
