半导体装置之制造装置

摘要

一种半导体装置之制造装置，其系于半导体制造装置之反应室（７）内之下部电极（３）上之矽基板（６）之周围，配置具有平均粗度为１～１０００μｍ之粗面之作为卤素除去部件之矽环（１２），而于矽基板（６）之上方，配置具有平均粗度为１～１０００μｍ之粗面之作为卤素除去部件之上部矽电极（５），而藉由使用Ｃ2Ｆ6作为导入反应室（７）内之气体，自制造装置之稼动之初期状态起，即可有效地将氟除去，比起知之装置，可缩短半导体装置之蚀刻时间。

主权项

1.一种半导体装置之制造装置,其特征在于:于半导体装置之乾蚀刻装置中,于反应室内具有表面设有微小凹凸之卤素除去部件者。2.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置,其中微小凹凸之平均粗度为1-1000m。3.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置,其中微小凹凸之平均粗度为1-10m。4.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置,其中卤素除去部件系包含有自矽及碳中所选出之至少一种材料者。5.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置,其中卤素除去部件系为配置于须蚀刻之矽基材之周围的矽环者。6.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置,其中卤素除去部件系配置于须蚀刻之矽基材之上方的上部矽电极者。7.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置中,其系使用湿蚀刻法作成凹凸者。8.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之制造装置,其中乾蚀刻所使用之气体为C2F6。图式简单说明:第一图为本发明之一实施例之半导体装置之蚀刻装置之构成图。第二图A为本发明之装置之原理之模式图,第二图B为习知装置之原理之模式图。第三图A为本发明之一实施例之装置中之卤素除去部件之表面放大图,第三图B为习知装置中之卤素除去部件之表面放大图。第四图为本发明之一实施例之装置与习知例之装置比较之使用时间T与矽基板之氧化膜蚀刻率之相对于抗蚀选择比R之关系图。