| 主权项 |
1.一种掺杂硼之单晶体碳化矽之制造方法,系利用化学气相沈积法(CVD)在基板上进行,其特征为:a)至少有一种工作气体用来供应矽(Si)和碳(C),以及b)至少有一种有机硼化合物,其分子中至少有一个碳原子与至少一个硼原子化学连结在一起,以便用来供应硼,且其中c)在基板上的生长温度,至少都调整在1000℃。2.如申请专利范围第1项之方法,其中至少采用一种不含碳(C)的矽化合物,来做为供应矽(Si)之工作气体,以及至少采用一种不含矽的碳化合物,来做为供应碳(C)之工作气体。3.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中至少在其工作气体中,会有一过量的碳(C)可受到调节。4.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中有机硼化合物在基板上的分压力,通常都是调在10-3Pa至1Pa之间。5.一种掺杂硼(B)之单晶体碳化矽之制造方法,其特征为:a)固态的碳化矽至少有一部分被昇华出来,b)单晶体的碳化矽系由昇华的碳化矽在气相中形成,c)至少有一种有机硼化合物,其分子中至少有一个碳原子与至少一个硼原子化学连结在一起,以便用来供应硼。6.如申请专利范围第5项之方法,其中单晶体碳化矽系生长在一块胚晶上。7.如申请专利范围第1,2,5或6项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有一个有分支或无分支的链状碳氢系列。8.如申请专利范围第1,2,5或6项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有一个环状的碳氢系列。9.如申请专利范围第7项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有一个环状的碳氢系列。10.如申请专利范围第1,2,5或6项之方法,其中有机硼化合物的分子分别含有至少一个卤素原子。11.如申请专利范围第7项之方法,其中有机硼化合物的分子分别含有至少一个卤素原子。12.如申请专利范围第8项之方法,其中有机硼化合物的分子分别含有至少一个卤素原子。13.如申请专利范围第1,2,5或6项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有两个硼原子,此二个硼原子则分别与至少一个碳原子以化学相结合。14.如申请专利范围第7项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有两个硼原子,此二个硼原子则分别与至少一个碳原子以化学相结合。15.如申请专利范围第8项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有两个硼原子,此二个硼原子则分别与至少一个碳原子以化学相结合。16.如申请专利范围第10项之方法,其中有机硼化合物的分子至少含有两个硼原子,此二个硼原子则分别与至少一个碳原子以化学相结合。17.如申请专利范围第1,2,5或6项之方法,其中至少有一种载运气体会被引导通过有机硼化合物,且这种充满有机硼化合物的载运气体会送到生长中的单晶体碳化矽。18.如申请专利范围第7项之方法,其中至少有一种载运气体会被引导通过有机硼化合物,且这种充满有机硼化合物的载运气体会送到生长中的单晶体碳化矽。19.如申请专利范围第8项之方法,其中至少有一种载运气体会被引导通过有机硼化合物,且这种充满有机硼化合物的载运气体会送到生长中的单晶体碳化矽。20.如申请专利范围第10项之方法,其中至少有一种载运气体会被引导通过有机硼化合物,且这种充满有机硼化合物的载运气体会送到生长中的单晶体碳化矽。21.如申请专利范围第13项之方法,其中至少有一种载运气体会被引导通过有机硼化合物,且这种充满有机硼化合物的载运气体会送到生长中的单晶体碳化矽。22.如申请专利范围第17项之方法,其中载运气体系采用氢气。23.如申请专利范围第17项之方法,其中载运气体至少采用一种惰性气体。24.如申请专利范围第17项之方法,其中载运气体采用由氢气和至少一种惰性气体所构成的混合气体。25.如申请专利范围第17项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节载运气体流经有机硼化合物的流通速度而加以调节的。26.如申请专利范围第1,2,5或6项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。27.如申请专利范围第7项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。28.如申请专利范围第8项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。29.如申请专利范围第10项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。30.如申请专利范围第13项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。31.如申请专利范围第17项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。32.如申请专利范围第25项之方法,其中硼掺杂在单晶体碳化矽中的浓度,是由调节有机硼化合物的温度而加以调控的。 |
