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L'invention concerne un amplificateur de puissance pour circuit micro-ondes, comprenant une pluralité de transistors (31-34) sensiblement alignés; selon l'invention, les bus de grille de deux transistors voisins sont reliés par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation de grille (36, 37, 38), et les réseaux de drain de deux transistors voisins sont reliés par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation de drain (40, 41, 42); les circuits d'adaptation de grille sont choisis de sorte à assurer des niveaux d'entrée identiques en amplitude et en phase sur chaque transistor, et les circuits d'adaptation de drain sont choisis de sorte à présenter à chaque transistor l'impédance optimale en puissance. L'entrée de l'amplificateur se trouve sur le bus de grille d'un transistor (31) à l'extrémité du montage série des transistors, et la sortie sur le réseau de drain d'un transistor (34) à l'autre extrémité du montage série des transistors. On peut ainsi assembler dans un amplificateur de puissance un nombre quelconque de transistors, en formant un amplificateur dans une surface réduite.
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