| 主权项 |
1.一种静电吸盘,用以于一处理室中支持一基板,该静电吸盘至少包含一静电构件,其包含一介电质覆盖一电极,该介电质具有一承接面,用以承接该基板,以及一垫位于静电构件之下,以控制于处理室中处理基板时,来自基板之热移转速率。2.如申请专利范围第1项所述之静电吸盘,更包含一基座在静电构件之下,该基座具有第一热阻RB,以及,其中该垫具有第二热阻RP,其系足够地高或低于基座之热阻RB,以提供预定温度于整个基板表面。3.如申请专利范围第2项所述之静电吸盘,其中上述之第二热阻RP是使得一热阻差R=RP-RB足够地高,以维持实质相同之温度于整个基板表面。4.如申请专利范围第2项所述之静电吸盘,其中上述之第二热阻RP系使得一热阻差R=RP-RB足够地高,以提供整个基板表面具有0℃至10℃温度差之温度分布。5.如申请专利范围第2项所述之静电吸盘,其中一热阻差R=RP-RB系由10至1000K/W。6.如申请专利范围第2项所述之静电吸盘,其中上述之热阻RB系由0.210-3至2010-3K/W,以及,热阻RP系由5010-3至40010-3K/W。7.如申请专利范围第2项所述之静电吸盘,其中上述之基座包含一由20至2000瓦/mK之导热系数,以及,其中,该垫包含由0.01至3.0瓦/mK之导热系数。8.如申请专利范围第2项所述之静电吸盘,其中上述之垫包含一圆形构件,其具有一小于基座直径DB之直径DP。9.如申请专利范围第8项所述之静电吸盘,其中上述之垫包含一碟或环。10.如申请专利范围第8项所述之静电吸盘,其中上述之圆形构件系位于基座中之一下凹部。11.一种处之室,其至少包含:(a)一气体分配系统,用以引入处理气体至处理室中;(b)一电浆产生器,用以由该处理气体形成电浆;及(c)如申请专利范围第1项之静电吸盘,用以支持于处理室中之基板。12.一种用以静电支持一基板并于整个基板表面保持预定温度之方法,该方法至少包含下列步骤:(a)静电支持基板于一静电构件之承接面上;(b)保持基板下部份之第一热路径具有一热阻RB;及(c)保持于基板下之其他部份之第二热路径具有一热阻RP,热阻RP系足够地不同于热阻RB,以于基板处理时,提供预定温度于基板表面。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之第一热路径系藉由提供支持静电吸盘之基座加以保持,该基座具有一下表面,以及该第二热路径系藉由提供一垫于静电构件之承接面及基座下表面间而加以保持。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之第一热移转路径包含一环区域在基板之圆周下,以及第二热移转路径包含一中心区域在基板之中心下。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之热阻差R=RP-RB系加以选择,以保持整个基板表面实质相同之温度。16.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之热阻差R=RP-RB系加以选择,以保持基板中心之温度系0℃至10℃高于基板之圆周之温度。17.如申请专利范围第12项所述之方法,更包含启始步骤:(1)于处理基板时,量测于整个基板表面之稳态温度分布;(2)共相关稳态温度分布至整个基板表面之处理特性上之变化;及(3)选择第一及第二热路径之热阻差R=RP-RB,其实质地降低于整个基板表面之处理特性之变化。图式简单说明:第一图为一依据本发明之处理室之示意剖面图。第二图a至第二图d为依据本发明之各种不同型式之静电吸盘之示意剖面图。第三图为一依据本发明之静电吸盘之示意俯视图,示出于吸盘中之热移转流体凹槽;及第四图为本发明之静电吸盘之一实施例之部份剖面示意图,示出静电构件及热移转调整垫之细节。 |
