| 摘要 |
<p>Die Halbleiteranordnung mit ohmscher Kontaktierung umfaßt ein p-leitendes Halbleitergebiet (100) aus Siliciumcarbid. Ein p-Kontaktgebiet (110) dient der Kontaktierung. Dabei besteht das p-Kontaktgebiet (110) aus einem Material, das mindestens Nickel und Aluminium enthält. Außerdem liegt im ganzen p-Kontaktgebiet (110) eine annähernd gleiche Materialzusammensetzung vor. Das Verfahren dient zur Kontaktierung von p-leitendem Siliciumcarbid mit einem Material, das mindestens Nickel und Aluminium enthält. Die beiden Materialkomponenten werden dabei gleichzeitig aufgebracht.</p> |
