| 主权项 |
1.一种由许多微型冷阴极组成之场效发射冷阴极,该场效发射冷阴极含有一基片,许多电子发射电极在该基片上形成之电子发射区中形成,且各有一尖锐末端,一绝缘层在该基片上形成而围绕各该电子发射电极,及一控制电极在该绝缘层上形成并具有许多开口,各该开口围绕着各该对应的电子发射电极其中之一,使得各该微型冷阴极由该许多电子发射电极其中之一及形成于该控制电极上之该许多开口中对应之一开口所组成,其中之改良为该许多微型冷阴极配置成使从该电子发射区之周边部位发射之电子之横向速度分量小于从该电子发射区之中央部位发射之电子之横向速度分量。2.如申请专利范围第1项之场效发射冷阴极,其中形成于该控制电极之该许多开口之直径在该电子发射区之该中央部位大,而在该电子发射区之该周边部位小。3.如申请专利范围第2项之场效发射冷阴极,其中该控制电极之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。4.如申请专利范围第3项之场效发射冷阴极,其中该绝缘层之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。5.如申请专利范围第4项之场效发射冷阴极,其中在该基片与该许多电子发射电极间设置一电阻层,该电阻层之电阻系数在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。6.如申请专利范围第1项之场效发射冷阴极,其中该控制电极之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。7.如申请专利范围第6项之场效发射冷阴极,其中该绝缘层之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。8.如申请专利范围第7项之场效发射冷阴极,其中在该基片与该许多电子发射电极间设置一电阻层,该电阻层之电阻系数在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。9.如申请专利范围第1项之场效发射冷阴极,其中该绝缘层之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。10.如申请专利范围第9项之场效发射冷阴极,其中在该基片与该许多电子发射电极间设置一电阻层,该电阻层之电阻系数在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。11.如申请专利范围第1项之场效发射冷阴极,其中在该基片与该许多电子发射电极间设置一电阻层,该电阻层之电阻系数在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。12.一种含有真空包封之阴极射线管,具有颈部及面板,形成于该面板内部之磷层,位于该颈部以将电子束朝该磷层发射之电子枪,及位在该真空包封外部俾将该电子枪发射之电子束偏向之偏向装置,该电子枪含有由许多微型冷阴极组成之场效发射冷阴极,该场效发射冷阴极含有一基片,形成于限定在该基片上之电子发射区且各自具有尖锐末端之许多电子发射电极,一形成于该基片上且围绕该许多电子发射电极之每个电极之绝缘层,及一形成于该绝缘层上且具有许多开口之控制电极,各该开口围绕着该许多电子发射电极之对应之一,使得各该微型冷阴极由该许多电子发射电极之一及形成于该控制电极上之该许多开口之对应之一所组成,其中所作之改良为该许多微型冷阴极配置成从该电子发射区周边部位发射之电子之横向速度分量比从该电子发射区中央部位发射之电子之横向速度分量为小。13.如申请专利范围第12项之阴极射线管,其中形成于该控制电极上之该许多开口之直径在该电子发射区之咳中央部位大,而在该电子发射区之该周边部位小。14.如申请专利范围第12项之阴极射线管,其中该控制电极之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。15.如申请专利范围第12项之阴极射线管,其中该绝缘层之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。16.如申请专利范围第12项之阴极射线管,其中在该基片与该许多电子发射电极间设置一电阻层,该电阻层之电阻系数在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。17.一种平板显示器,含有组装成为真空包封之前板及后板,一设置在前板内部且被分成许多图素之磷层,及设置在后板内部之许多电子发射源,各该电子发射源安置成将电子束朝对应图素之该磷层发射,各该电子发射源由一场效发射冷阴极所组成,该场效发射冷阴极含有许多微型冷阴极且具有一基片,形成于限定在该基片上之电子发射区且各自具有尖锐末端之许多电子发射电极,一形成于该基片上并围绕着各该许多电子发射电极之绝缘层,及一形成于该绝缘层上并具有许多开口之控制电极,各该开口围绕着该许多电子发射电极之对应之一,使得各该微型冷阴极由该许多电子发射电极之一及形成于该控制电极上之该许多开口之对应之一所组成,其中所作之改良为该许多微型冷阴极配置成使从该电子发射区周边部位发射之电子之横向速度分量比从该电子发射区之该中央部位发射之电子之横向速度分量为小。18.如申请专利范围第17项之平板显示器,其中形成于该控制电极上之该许多开口之直径在该电子发射区之该中央部位大,而在该电子发射区之该周边部位小。19.如申请专利范围第17项之平板显示器,其中该控制电极之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。20.如申请专利范围第17项之平板显示器,其中该绝缘层之厚度在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。21.如申请专利范围第17项之平板显示器,其中在该基片与该许多电子发射区间设置一电阻层,该电阻层之电阻系数在该电子发射区之该中央部位小,而在该电子发射区之该周边部位大。图式简单说明:第一图系为传统场效发射冷阴极之第1例之一个微阴极之断面图;第二图系为传统场效发射冷阴极之第2例之一个微阴极之断面图;第三图A系为表示传统场效发射冷阴极之第3例之分散抑制电极之断面图;第三图B系为表示第三图A所示之场效发射冷阴极内之电场之离散;第四图系为传统场效发射冷阴极之第4例之部份断面图;第五图系为传统冷阴极之第5例之部份断面图;第六图系为依本发明之场效发射冷阴极之第1实施例,沿着中心横线剖开,之透视图;第七图系为依本发明之场效发射冷阴极之第2实施例,沿着中心横线剖开,之透视图;第八图系为依本发明之场效发射冷阴极之第3实施例,沿着中心横线剖开,之透视图;第九图系为依本发明之场效发射冷阴极之第4实施例,沿着中心横线剖开,之透视图;第十图系为能应用依本发明之场效发射冷阴极之阴极射线管之透视图;第十一图系表示阴极射线管内电子之行走路径;第十二图系表示能应用依本发明之场效发射冷阴极之平板显示盘之断面图。 |
