| 主权项 |
1.一种半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其包括有下列步骤:(A)先于全新控片长保护洁净层;(B)将全新控片沉积氮化矽层;(C)在蚀刻槽中蚀刻掉氮化矽层,以曝露出该保护洁净层;(D)在清洗槽中清洗。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其另包括一在刷洗机(scrubber)中刷洗的步骤。3.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其中,该保护洁净层为二氧化矽层。4.如申请专利范围第3项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其中,该二氧化矽层是用热氧化方法形成。5.如申请专利范围第3项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其中,该二氧化矽层是用气相化学沉积法所形成的多晶矽。6.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其中,该蚀刻槽是使用磷酸进行蚀刻氮化矽。7.如申请专利范围第6项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其中,该蚀刻磷酸的浓度是80-99%,蚀刻温度是摄氏90至280度。8.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中氮化矽炉管控片的回收方法,其中,该清洗步骤是用摄氏35至95度的热水直接喷在控片上进行清洗1-30分钟。图式简单说明:第一图为习知的控片浸入磷酸溶液的侧视示意图。第二图为习知的控片经蚀刻掉氮化矽后自磷酸溶液拉起的侧视示意图。第三图为习知的控片浸入磷酸溶液的正视图。第四图为本发明的控片浸入磷酸溶液的侧视图。 |
