| 主权项 |
1.一种非晶矽薄膜电晶体的制作方法,系包含:(a)于绝缘基材上形成上闸极用金属层,并定义为闸极,(b)利用电浆辅助化学气相沉积法,依序分别沉积介电层、非晶矽、和n+非晶矽,接着微影、蚀刻定义有效区域,(c)沉积金属铝层,并微影蚀刻至露出n+非晶矽层,定义源极和汲极区域,(d)蚀刻源极和汲极间的n+非晶矽层至露出通道非晶矽,完成非晶矽薄膜电晶体之制作其特征在于:闸极用金属层是以热溅镀方法、温度范围100℃-550℃下形成之热铝。2.如申请发明范围第1项之方法,其中热溅镀方法是于温度范围200℃-550℃范围下进行。3.一种非晶矽薄膜电晶体,其闸极部分系为以热溅镀方式形成,制作方法为如申请发明范围第1项之方法。图式简单说明:第一图利用本发明之方法制备非晶矽薄膜电晶体。第二图本发明制备过程。第二图(a)在绝缘基板上溅镀热铝,再微影蚀刻定义出闸极铝。第二图(b)接着利用电浆辅助化学气相沉积系统沉积氮化矽、非晶矽和n+非晶矽,再微影蚀刻定义出有效区域(Active Region)。第二图(c)沉积金属铝并微影蚀刻定义出源极和汲极。第二图(d)最后蚀刻源极和汲极中间的n+非晶矽。第三图各种不同铝沉积温度的原子力显微镜(AtomicForce Microscopy)照片。(a)400℃(b)300℃(c)200℃(d)100℃(e)室温(R.T.)第四图比较本发明所制备薄膜电晶体的特性。(a)汲极电流和铝闸极沉积温度与闸极电压的关系。(b)迁移率和铝闸极沉积温度的关系。第五图比较铝表面粗糙质和铝闸极沉积温度的特性。(1) 未退火(As-deposited)(2) 300℃退火(3) 350℃退火(4) 400℃退火 |
