| 主权项 |
1.一种半导体配置,包括a)一个第一半导体区(2),其在第一表面(20)上具有至少一与第一电极(7)相接触之接触区(5)且在第二表面(21)上是与第二电极(6)相接触,b)至少一个第二半导体区(3),其与第一半导体区(2)形成一个p-n-接面,c)至少一个第三半导体区(4),其与第一半导体区(2)形成一个p-n-接面,此种半导体配置之特征为:d)第三半导体区(4)在其不与第一半导体区(2)相邻接之表面(40)上是隔离的,使电荷可储存在第三半导体区(4)中,e)第一半导体区(2)具有至少一个介于此二个电极(6,7)之间的电流路径中之通道区(22),其在此二个电极(6,7)之间达到一预设之饱和电流値时会被上述p-n-接面之空乏区(23,24)所紮紧,然后电流即被限制于一较饱和电流还低之値处。2.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中第二半导体区(3)是配置于接触区(5)下方之第一半导体区(2)之内部且在平行于第一半导体区(2)之表面(20)的所有方向中继续延伸成接触区(5)。3.如申请专利范围第1或第2项之半导体配置,其中第三半导体区(4)平行于第一半导体区(2)之第一表面(20)而围绕该接触区(5)。4.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中第一半导体区(2)之第二表面(21)远离第一表面(20)。5.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中第一半导体区(2)在其第一表面(20)上具有多个接触区(5)。6.如申请专利范围第5项之半导体配置,其中在接触区(5)下方配置一相连之第二半导体区(3),其在平行于第一半导体区(2)之第一表面(20)之所有方向中所具有之范围较接触区(5)之总范围还宽广。7.如申请专利范围第2或第5项之半导体配置,其中在每一接触区(5)下方于第一半导体区(2)中配置一所属之第二半导体区(3)。8.如申请专利范围第4或第6项之半导体配置,其中第一半导体区(2)之各通道区(29)经由相连之第二半导体区(3)中之开孔而各自延伸,这些通道区(29)在电流路径中分别与属于接触区(5)之各通道区(22)中之至少其一在电性是相串联的。9.如申请专利范围第7项之半导体配置,其中第一半导体区(2)之各通道区(29)是在属于接触区(5)之各第二半导体区(3)之间延伸,这些通道区(29)在电流路径中分别与属于接触区(5)之各通道区(22)中之至少其一在电性上是相串联的。10.如申请专利范围第5项之半导体配置,其中所有接触区(5)的每一个都设有共同之第一电极(7)。11.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中每一第三半导体区(4)在其不与第一半导体区(2)相邻接之表面(40)上是以隔离区(11)覆盖。12.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中每一隔离区(11)具有一至少是20V(特别是至少50V)之击穿电压。13.如申请专利范围第1项之半导体配置,其中半导体区(2,3,4)是由碳化矽所构成。14.如申请专利范围第11项之半导体配置,其中每一隔离区(11)是由二氧化矽所构成。15.如申请专利范围第14项之半导体配置,其中二氧化矽是以加热方式生长。16.一种半导体配置,此半导体配置是指前述申请专利范圈中任一项所述者,其系作为限流器(13)用以便限制电流源(R)和电气元件(12)之间的直流电流,其特征为:此半导体配置之电极(7)可和电流源(R)电性相连接,另一电极(6)可和元件(12)电性相连接。17.一种半导体配置,此半导体配置是指申请专利范围第1至第15项中任一项所述者,其系作为限流器(13)用以便限制电流源(R)和电气元件(12)之间的交流电流,其特征为:此种半导体配置中之二个是反向串联在电流源(R)和元件(12)之间。图式简单说明:第一图具有横向通道区之半导体配置的实施形式。第二图具有横向及垂直通道区之半导体配置的实施形式。第三图具有单胞设计之半导体配置的部份俯视图。第四图具有一个反向串联之半导体配置的交流限流器。第五图依据第四图之交流限流器中所测得之特性曲线。第六图在短路情况时半导体配置之电流和电压对时间之关系图。第七图在导线分路中具有限流器之切换装置。 |
