| 主权项 |
1.一种闸极之制造方法,包括:在已具一隔离结构之一基底上形成一闸氧化层;在该氧化层上形成一多晶矽层;在该多晶矽层上形成一导电层;在该导电层上形成一反反射层;图案化该反反射层与该导电层,直到暴露出该多晶矽层;以及以该反反射层与该该导电层为罩幕,去除部分该多晶矽层与该闸极氧化层,直到暴露出该基底,形成一闸极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该导电层之后更包括进行一热制程。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该热制程系以快速热制程(RTP)进行。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导电层包括矽化钛。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该反反射层包括氮氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中图案化该反反射层与该导电层系以乾蚀刻法进行。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中乾蚀刻所使用的反应气体为氯气/氮气/六氟乙烷(C12/N2/C2F6)。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除部分该多晶矽层与该闸极氧化层系以乾蚀刻法进行。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中乾蚀刻所使用的反应气体为氯气/溴化氢/氦气/氧气(Cl2/HBr/He/O2)。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括在该闸极之侧壁形成一间隙壁,再以该闸极与该间隙壁为罩幕形成一源极/汲极。11.一种闸极之制造方法,包括:在已具一隔离结构之一基底上形成一闸氧化层;在该氧化层上形成一多晶矽层;在该多晶矽层上形成一阻障层;在该阻障层上形成一导电层;在该导电层上形成一反反射层;图案化该反反射层、该导电层与该阻障层,直到暴露出该多晶矽层;以及以该反反射层与该阻障层为罩幕,去除部分该多晶矽层与该闸极氧化层,直到暴露出该基底,形成一闸极。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中形成该导电层之后更包括进行一热制程。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该热制程系以快速热制程(RTP)进行。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该阻障层包括氮化钛。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该导电层包括矽化钛。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该反反射层包括氮氧化矽。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中图案化该反反射层与该阻障层系以乾蚀刻法进行。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中乾蚀刻所使用的反应气体为氯气/氮气/六氟乙烷(Cl2/N2/C2F6)。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中去除部分该多晶矽层与该闸极氧化层系以乾蚀刻法进行。20.如申请专利范围第15项所述之方法,其中乾蚀刻所使用的反应气体为氯气/溴化氢/氦气/氧气(Cl2/HBr/He/O2)。21.如申请专利范围第11项所述之方法,其中更包括在该闸极之侧壁形成一间隙壁,再以该闸极与该间隙壁为罩幕形成一源极/汲极。图式简单说明:第一图至第三图是本发明一较佳实施例的一种闸极制造方法流程剖面图。 |
