| 主权项 |
1.一种用于静电放电保护电路之N型金氧半电晶体之结构,其与一P型金氧半电晶体串联之结构再并联一输入/输出之讯号线构成该静电放电保护电路;该结构至少包括:一N井,形成于一半导体基底内一源极区,形成于该半导体基底内;一汲极区,形成于该半导体基底内,并且该汲极区与该半导体基底被该N井隔离;一闸极氧化层,位于该源极区与该汲极区之间的该半导体基底之上;一复晶矽闸极,形成于该闸极氧化层之上;一第一金属矽化物层,形成于该复晶矽闸极之上;一第二金属矽化物层,形成于该源极区之上;以及一第三金属矽化物层,形成于该汲极区之上,但并未完全覆盖该汲极区而位于该汲极区内部。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第三金属矽化物层至少覆盖该汲极区之复数个接触所欲连接之位置。3.一种用于静电放电保护电路之N型金氧半电晶体之结构,其与一P型金氧半电晶体串联之结构再并联一输入/输出之讯号线构成该静电放电保护电路;该N型金氧半电晶体之结构特征为:一N井,形成于一半导体基底内,并且该N井于该半导体基底内位于该N型金氧半电晶体之一汲极之下方。4.一种用于静电放电保护电路之N型金氧半电晶体之结构,其与一P型金氧半电晶体串联之结构再并联一输入/输出之讯号线构成该静电放电保护电路;该N型金氧半电晶体之结构特征为:一金属矽化物层,形成于该N型金氧半电晶体之一汲极区之上,但并未完全覆盖该汲极区而位于该汲极区内部,并且该金属矽化物层至少覆盖该汲极区之复数个接触所欲连接之位置。5.一种用于静电放电保护电路之N型金氧半电晶体之结构,其与一P型金氧半电晶体串联之结构再并联一输入/输出之讯号线构成该静电放电保护电路;该N型金氧半电晶体之结构特征为:一N井,形成于一半导体基底内,并且该N井于该半导体基底内位于该N型金氧半电晶体之一汲极区之下方;以及一金属矽化物层,形成于该汲极区之上,但并未完全覆盖该汲极区而位于该汲极区内部,并且该金属矽化物层至少覆盖该汲极区之复数个接触所欲连接之位置。图式简单说明:第一图是一种习知的静电放电保护电路电路图;第二图绘示第一图中一种习知N型金氧半电晶体QN的结构剖面图;第三图绘示第二图N型金氧半电晶体QN之上视图;第四图表示第二图之N型金氧半电晶体QN状态为"on"时,接地端GND到输入/输出讯号线I/O之间的等效电路图;第五图绘示第七图之本创作一较佳实施例N型金氧半电晶体QN之结构上视图;第六图表示本创作一较佳实施例之N型金氧半电晶体状态为"on"时,接地端到输入/输出讯号线之间的等效电路图;第七图绘示本创作一较佳实施例之N型金氧半电晶体之结构剖面图;第八A图绘示习知之N型金氧半电晶体发生接触材料与矽互熔之现象;第八B图绘示本创作之N型金氧半电晶体发生接触材料与矽互熔之现象;以及第九图绘示本创作所提出之N型金氧半电晶体结构之特征。 |
