| 主权项 |
1.一种埋入式接触之制程方法,包括:提供一基底,其上已形成一浅渠沟隔离;在该基底上依序形成经蚀刻定义之一闸极氧化层与一第一导电层;进行第一N+离子布植,在该基底上形成一第一N+接面;在该基底上方形成一第二导电层与一金属矽化物层;蚀刻定义该金属矽化物层、该第二导电层与该第一导电层,形成一闸极与电性连接该第一N+接面的一埋入式接触;进行N-离子布植,在该基底上形成一第一N-接面;在该基底上形成一复晶矽间隙壁;进行第二N+离子布植,在该基底上形成一第二N+接面,并且掺杂该复晶矽间隙壁;以及回蚀刻该复晶矽间隙壁至该基底表面。2.如申请专利范围第1项所述之制程方法,其中,该第一导电层包括一复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制程方法,其中,该第二导电层包括一复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制程方法,其中,系以一特定蚀刻时间蚀刻之方式,并且以该金属矽化物层为蚀刻罩幕,蚀刻该复晶矽间隙壁至该基底表面。5.如申请专利范围第1项所述之制程方法,其中,形成该闸极与该埋入式接触时会蚀刻穿透该第一N+接面而形成一渠沟。6.如申请专利范围第5项所述之制程方法,其中,进行N-离子布植会在位于该渠沟下方的该基底上形成一第二N-接面。7.如申请专利范围第6项所述之制程方法,其中,该复晶矽间隙壁填入该渠沟中。8.如申请专利范围第1项所述之制程方法,其中,该第二N+接面介于该第一N+接面与该第一N-接面之间。9.一种埋入式接触之制程方法,包括:提供一基底,其上已形成一浅渠沟隔离;在该基底上依序形成经蚀刻定义之一闸极氧化层与一第一导电层;进行第一P+离子布植,在该基底上形成一第一P+接面;在该基底上方形成一第二导电层与一金属矽化物层;蚀刻定义该金属矽化物层、该第二导电层与该第一导电层,形成一闸极与电性连接该第一P+接面的一埋入式接触;进行P-离子布植,在该基底上形成一第一P-接面;在该基底上形成一复晶矽间隙壁;进行第二P+离子布植,在该基底上形成一第二P+接面,并且掺杂该复晶矽间隙壁;以及回蚀刻该复晶矽间隙壁至该基底表面。10.如申请专利范围第9项所述之制程方法,其中,该第一导电层包括一复晶矽层。11.如申请专利范围第9项所述之制程方法,其中,该第二导电层包括一复晶矽层。12.如申请专利范围第9项所述之制程方法,其中,系以一特定蚀刻时间蚀刻之方式,并且以该金属矽化物层为蚀刻罩幕,蚀刻该复晶矽间隙壁至该基底表面。13.如申请专利范围第9项所述之制程方法,其中,形成该闸极与该埋入式接触时会蚀刻穿透该第一P+接面而形成一渠沟。14.如申请专利范围第13项所述之制程方法,其中,进行P-离子布植会在位于该渠沟下方的该基底上形成一第二P-接面。15.如申请专利范围第14项所述之制程方法,其中,该复晶矽间隙壁填入该渠沟中。16.如申请专利范围第9项所述之制程方法,其中,该第二P+接面介于该第一P+接面与该第一P-接面之间。图式简单说明:第一图A至第一图F显示一种传统埋入式接触之制造流程剖面示意图;以及第二图A至第二图G绘示本发明一较佳实施例之一种埋入式接触的制造流程剖面图。 |
