| 主权项 |
1.一种用于测量透明基板上结构的测量装置,包括:一个入射光照明装置;一个成像装置;一个用于侦测已成像结构的侦测器装置;以及一个测量平台是依垂直于且相对于成像装置之光轴作可位移的配置使得能以干涉仪测量出其位置,该测量平台是用以接收基板;其中将此测量平台设计成一个含有用于基板之接收边缘的开放式框架;也包括一个透射光照射装置是提供于测量平台底下,而透射光照射装置的光轴是与入射光照射装置的光轴对齐的。2.如申请专利范围第1项之测量装置,其中该侦测器装置是一个CCD摄影机。3.如申请专利范围第1项之测量装置,其中该入射光及透射光照射装置是可以作互为独立的切换。4.一种用于测量透明基板上结构亦即能在一个垂直于成像方向的平面内依干涉仪用可测量方式作平移的方法,其步骤包括:选择性地以入射到基板上的光或是穿过基板的光照射透明基板上的结构;以及使受到照射的结构成像在用于决定测量的侦测器装置上。5.如申请专利范围第4项之方法,也包括同时以入射光及透射光照射以决定各结构座标的步骤。6.如申请专利范围第5项之方法,也包括至少利用入射光及透射光的照射之一对各结构进行结构宽度测量的评估。7.一种用于测量待测量基板上结构的装置,包括:一个测量平台含有适于接收待测量基板的开口;以及一个影像侦测器系以来自待测量基板的第一侧而沿垂直于测量平台之移动平面的第一光轴入射到结构上的光为基础而形成结构的第一影像,并以来自待测量基板的第二侧而沿与第一光轴呈同轴的第二光轴穿透待测量基板而通过该结构的光为基础而形成结构的第二影像。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该岩架至少是局部地形成于测量平台内围绕开口的内部周缘上。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该测量平台内该开口的形状实质上是相应于待测量基板的形状。10.如申请专利范围第9项之装置,其中该岩架至少是局部地形成于测量平台内围绕开口的内部周缘上。11.如申请专利范围第7项之装置,也包括一个干涉仪系统以侦测测量平台相对于第一和第二光轴的运动。12.如申请专利范围第7项之装置,也包括:一个第一照明光源会提供入射到基板上的光;以及一个第二照明光源会提供透射待测量基板的光。13.如申请专利范围第12项之装置,其中可以互为独立地发动第一和第二照明光源。14.如申请专利范围第12项之装置,其中该第二照明光源是配置于测量平台底下。15.如申请专利范围第14项之装置,也包括:一个基底其上配置有可移动的该测量平台;且其中该第二照射光源含有配置于该基底内的垂直可调聚光器。16.如申请专利范围第7项之装置,其中该侦测器装置是一个CCD摄影机。17.如申请专利范围第16项之装置,也包括:一个电脑系耦合于影像侦测器而用于处理第一和第二影像以得到与待测量基板上结构相关的各测量结果。18.如申请专利范围第7项之装置,也包括:一个电脑系耦合于影像侦测器而用于处理第一和第二影像以得到与待测量基板上结构相关的各测量结果。19.一种用于测量待测量基板上结构的装置,包括:一个测量平台含有适于接收待测量基板的开口;一个第一照明光源会提供自待测量基板的第一侧沿实质上垂直于测量平台的第一光轴入射到结构上的光;和一个第二照明光源会提供自待测量基板的相对一侧沿与第一光轴呈同轴的第二光轴穿透基板照射到结构上的光;以及一个影像侦测器会接收入射和透射光以侦测结构的影像。20.如申请专利范围第19项之装置,其中该岩架至少是局部地形成于测量平台内围绕开口的内部周缘上。21.如申请专利范围第19项之装置,其中该测量平台内该开口的形状实质上是相应于待测量基板的形状。22.如申请专利范围第21项之装置,其中该岩架至少是局部地形成于测量平台内围绕开口的内部周缘上。23.如申请专利范围第19项之装置,也包括一个干涉仪系统以侦测测量平台相对于第一和第二光轴的运动。24.如申请专利范围第19项之装置,其中该第二照明光源是配置于测量平台底下。25.如申请专利范围第24项之装置,也包括:一个基底其上配置有可移动的该测量平台;且其中该第二照明光源含有配置于该基底内的垂直可调聚光器。26.如申请专利范围第19项之装置,其中该侦测器装置是一个CCD摄影机。27.如申请专利范围第19项之装置,也包括:一个电脑系耦合于影像侦测器而用于处理第一和第二影像以得到与待测量基板上结构相关的各测量结果。28.如申请专利范围第19项之装置,其中可以互为独立地发动第一和第二照明光源。29.一种用于得到有关形成于基板第一侧上结构之资讯的方法,此方法的步骤包括:以来自基板的相对的第二侧穿透基板的光照射到结构上;且以透射光为基础从基板的第一侧侦测结构的第一影像。30.如申请专利范围第29项之方法,也包括下列步骤:以来自基板的第一侧入射到结构上的光照射到结构上;且以入射光为基础从基板的第一侧侦测结构的第二影像。31.如申请专利范围第30项之方法,也包括比较结构上第一和第二影像以评估结构之边缘及座标位置的步骤。32.如申请专利范围第30项之方法,其中以使用同轴光轴的透射和入射光照射结构的步骤也包括下列步骤:于垂直于光轴的平面内决定出基板相对于同轴光轴的运动。33.如申请专利范围第29项之方法,也包括下列步骤:利用以透射光形成的第一影像去评估结构的各器件。34.如申请专利范围第30项之方法,也包括下列步骤:利用以入射和透射光形成的各影像去评估结构的各器件。35.如申请专利范围第30项之方法,其中该结构的各影像都是经由一个CCD摄影机而形成的光强度纵剖面。36.一种用于得到有关形成于基板表面上结构之资讯的方法,此方法的步骤包括:选择性地以入射光从基板的一侧或是以透射光从基板的另一侧照射结构;以及以入射和透射光为基础用一个共用的侦测器去侦测该结构的各影像。37.如申请专利范围第36项之方法,也包括下列步骤:侦测基板与入射和透射光的各光轴之间的相对运动,这些光轴是同轴而垂直于此相对运动的。38.如申请专利范围第37项之方法,也包括下列步骤:比较分别由入射及透射光形成的各结构影像以决定出结构的各位置座标。39.如申请专利范围第38项之方法,也包括下列步骤:以入射及/或透射光为基础评估用于结构宽度测量的结构边缘位置。图式简单说明:第一图系根据本发明之测量装置的侧视方块图。第二图显示的是利用如本发明之入射光和透射光的照射而形成的强度纵剖面曲线以及显示如本发明之评估用的结构纵剖面曲线。第三图系根据本发明的另一个结构及强度纵剖面曲线。 |
