发明名称 受光放大装置
摘要 本发明之受光放大装置含有:输出相应于受光量而变化之光讯号电流的受光元件;串联连接于上述受光元件而产生相应于上述光讯号电流而变化之检出电压的负荷电阻;并联连接于上述负荷电阻而相应于上述检出电压的频率变化其输入阻抗,使其于低频带时上述检出电压不致饱和的低频电流旁通电路;用以变换上述检出电压之阻抗的变换阻抗放大电路(反转放大电路),以及用于耦合上述低频电流旁通电路与上述变换阻抗放大电路的电容器。由此于红外线通讯用收讯机能维持对于直流光电流的动作范围,而能以比较简单的电路与构成达成受光放大装置部的低杂讯化。
申请公布号 TW385598 申请公布日期 2000.03.21
申请号 TW087113146 申请日期 1998.08.11
申请人 夏普股份有限公司 发明人 横川成一;奥田隆典;清水隆行
分类号 H04B10/28 主分类号 H04B10/28
代理机构 代理人 陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种受光放大装置,具备;输出相应于受光量而变化之光讯号电流的受光元件;串联连接于上述受光元件以产生相应于上述光讯号电流而变化之检出电压的负荷电阻;并联连接于上述负荷电阻而相应于上述检出电压的频率变化其输入阻抗,使其于低频带域时上述检出电压不致饱和的低频电流旁通电路;用以变换上述检出电压之阻抗的的变换阻抗放大电路;以及用于耦合上述低频电流旁通电路与上述变换阻抗放大电路的电容器。2.如申请专利范围第1项之受光放大装置,其中:上述低频电流旁通电路为包含低通滤波电路及具有电导的跨导放大器。3.如申请专利范围第2项之受光放大装置,其中:上述低通滤波电路为上述跨导放大器并联连接;以及上述跨导放大器为应于上述检出电压而阶段性的变化上述电导。4.如申请专利范围第2项之受光放大装置,其中:上述低通滤波电路为上述跨导放大器并联连接;上述低通滤波电路为由第1电阻及电容器串联连接所构成;上述跨导放大器为由第1双极电晶体及第2电阻串联连接所构成;以及上述第1电阻与上述电容器之连接点为连接于上述双极电晶体之底极。5.如申请专利范围第2项之受光放大装置,其中:上述低通滤波电路为与上述跨导放大器并联连接;上述低通滤波电路为由第1电阻与电容器串联连接所构成;上述跨导放大器为由MOS电晶体所构成;以及上述第1电阻与上述电容器的连接点为连接于上述MOS电晶体的闸极。6.如申请专利范围第4项之受光放大装置,其中:上述跨导放大器之上述第2电阻为并联连接第1二极体与第3电阻为串联连接的电路。7.如申请专利范围第6项之受光放大装置,其中上述跨导放大器之上述第2电阻更为并联连接复数之二极体与第4电阻为串联连接的电路。8.如申请专利范围第4项之受光放大装置,其中:上述跨导放大器之上述第2电阻为并联连接第2双极电晶体与第3电阻为串联连接的电路。9.如申请专利范围第8项之受光放大装置,其中:上述跨导放大器之上述第2电阻更为并联连接复数之双极电晶体与第4电阻为串联连接的电路。10.如申请专利范围第4项之受光放大装置,其中:上述变换阻抗放大电路具有反转输入端子,非反转输入端子及输出端子,上述非反转输入端子为连接于接地,上述反转输入端子与上述输出端子为经由电阻而连接。11.一种受光放大装置,为具有受光元件及对其光讯号电流实施放大处理之电路的受光放大装置,而以上述放大光讯号电流的电路含有低频电流旁通电路及变换阻抗放大电路,上述受光元件为与负荷电阻串联连接,由该负荷电阻变换为电压的光讯号电流为输入于上述低频电流旁通电路,其中输出电压为经由电容器连接于上述变换阻抗放大电路。12.如申请专利范围第11项之受光放大装置,其中:前述低频电流旁通电路含有低通滤波电路及跨导放大器;前述低频电流旁通电路为由该低通滤波电路之输出连接该跨导放大器之反转输入,该跨导放大器之输出与该低通滤波电路之输入连接所构成,而该低通滤波电路之输入阻抗于低频带领域使其成为低阻抗者。13.如申请专利范围第12项之受光放大装置,其中:前述低通滤波电路为由电阻与电容器构成的RC低通滤波电路形成;前述跨导放大器为由1个以上的双极电晶体与电阻所构成。14.如申请专利范围第12项之受光放大装置,其中:前述低通滤波电路为由电阻与电容器构成的RC低通滤波电路形成,前述跨导放大器为由MOS电晶体形成。15.如申请专利范围第12项之受光放大装置,其中前述跨导放大器为由二极体或电晶体以复数个组合而成。图式简单说明:第一图表示本发明之一实施形态的受光放大装置的等价电路。第二图表示本发明之一实施形态的受光放大装置之低频电流旁通电路之原理的方块图。第三图(a)(b)表示本发明之实施形态的受光放大装置之低频电流旁通路的具体电路例,第三图(a)表示低通滤波器电路由分割电阻R1与电容器C1的串联电路构成,变换阻抗放大器为由NPN电晶体QN1与分割电阻R2的构成例,第三图(b)表示以MOS电晶体MN1代替第三图(a)之电晶体QN1构成之例。第四图表示本发明之一实施形态的受光放大装置之低频电流旁通电路的具体电路例,其低通滤波电路为由分割电阻R1与电容器C1的串联电路构成,变换阻抗放大器为由NPN电晶体QN1与分割电阻R2与二极体及电阻构成之例。第五图表示本发明之一实施形态的受光放大装置之低频电流旁通电路的具体电路例,其低通滤波电路为由分割电阻R1与电容器C1的串联电路构成,变换阻抗放大器为由NPN电晶体QN1与分割电阻R2,NPN电晶体QN2及电阻所构成的电路例。第六图表示本发明之一实施形态的受光放大装置之用以说明第四图之低频电流旁通电路之直流动作的图表。第七图表示习用例之红外线数据通讯用受光放大部的电路例。第八图表示习用例之红外线通讯用收讯机之受光放大部之说明直流电流之动作的图表。第九图表示式(13)所示热杂音电流Inr与负荷电阻値R之关系图。
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