| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de transfert de couches minces monocristallines d'un premier substrat monocristallin sur un deuxième substrat, qui nécessite une dose réduite d'hydrogène pour obtenir une séparation de couches. Le procédé comporte les étapes consistant à co-implanter des ions déclenchant un piégeage d'hydrogène et des ions hydrogène, implanter l'hydrogène à température élevée, combiner les ions, ces étapes étant suivies d'un traitement thermique pour affaiblir la connexion entre la couche implantée et le reste du premier substrat ; former ensuite une liaison solide entre le premier substrat implanté et le deuxième substrat, et finalement mettre oeuvre un autre traitement thermique pour séparer la couche mince monocristalline du reste du premier substrat par la formation et la croissance de microfissures remplies d'hydrogène.</p> |
