| 主权项 |
1.一种从基体的处理表面移除不需要的材料的方法,该方法不会影响相邻于不需要的材料或在不需要的材料下方的要被留在处理表面上的需要的材料的物理性质,该方法包含下列步骤:选择基体及要从基体的处理表面被移除的不需要的材料,该不需要的材料系以在不足以改变需要的材料的物理性质的预定的空间及暂时浓度下的激能光子,以垂直于处理表面的入射角度施加时,无法藉着激能光子对处理表面的辐射被移除;以在该预定的空间及暂时浓度下的激能光子,以一偏斜角照射该处理表面,而从处理表面释放不需要的材料;及同时引导不会与该基体发生任何反应的气体流横过该不需要的材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该偏斜角小于20。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该偏斜角小于10。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该需要的材料为矽。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该不需要的材料系择自由氧化铝及氮化矽所组成的群类。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该需要的材料为铬。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该需要的材料为丙烯丁二烯苯乙烯三聚物(acrylonitrile-butadienestyrene terpolymer),且该不需要的材料为聚氨基甲酸酯(polyurethane)。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该激能光子具有5电子伏特/光子(eV/photon)的能量。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该激能光子由脉冲式KrF准分子(excimer)雷射产生。10.如申请专利范围第1项之方法,其中被引导横过该不需要的材料的气体流有部份是在施加照射能量之前被引导,以提供乾燥功能及污染物移除功能。11.一种从基体的处理表面移除不需要的材料的方法,该方法不会损害相邻于不需要的材料或在不需要的材料下方的要被留在处理表面上的需要的材料,该方法包含下列步骤:选择基体及要从基体的处理表面被移除的不需要的材料,该不需要的材料系以在不足以损害需要的材料的预定的空间及暂时浓度下的激能光子,以垂直于处理表面的入射角度施加时,无法藉着激能光子对处理表面的辐射被移除;以在该预定的空间及暂时浓度下的激能光子,以一偏斜角照射该处理表面,而从处理表面释放不需要的材料;及同时引导不会与该基体发生任何反应的气体流横过该不需要的材料。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该偏斜角小于20。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该偏斜角小于10。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该需要的材料为矽。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该不需要的材料系择自由氧化铝及氮化矽所组成的群类。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该需要的材料为铬。17.如申请专利范围第11项之方法,其中该需要的材料为丙烯丁二烯苯乙烯三聚物(acrylonitrilebutadi-ene styrene terpolymer),且该不需要的材料为聚氨基甲酸酯(polyurethane)。18.如申请专利范围第11项之方法,其中该激能光子具有5电子伏特/光子(eV/photon)的能量。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该激能光子由脉冲式KrF准分子(excimer)雷射产生。20.如申请专利范围第11项之方法,另外包含从焦点前,过焦点,及入射焦点选择范围来选择焦点设定。21.一种从基体的处理表面移除不需要的材料的方法,该方法不会影响相邻于不需要的材料或在不需要的材料下方的要被留在处理表面上的需要的材料的操作性物理性质,该方法包含下列步骤:选择基体及要从基体的处理表面被移除的不需要的材料,该不需要的材料系以在不足以改变需要的材料的操作性物理性质的预定的空间及暂时浓度下的激能光子,以垂直于处理表面的入射角度施加时,无法藉着激能光子对处理表面的辐射被移除;以在该预定的空间及暂时浓度下的激能光子,以一偏斜角照射该处理表面,而从处理表面释放不需要的材料;及同时引导不会与该基体发生任何反应的气体流横过该不需要的材料。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该偏斜角小于20。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该偏斜角小于10。24.如申请专利范围第21项之方法,其中该需要的材料为矽。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该不需要的材料系择自由氧化铝及氮化矽所组成的群类。26.如申请专利范围第21项之方法,其中该需要的材料为铬。27.如申请专利范围第21项之方法,其中该需要的材料为丙烯丁二烯苯乙烯三聚物(acrylonitrilebutadi-ene styrene terpolymer),且该不需要的材料为聚氨基甲酸酯(polyurethane)。28.如申请专利范围第21项之方法,其中该激能光子具有5电子伏特/光子(eV/photon)的能量。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该激能光子由脉冲式KrF准分子(excimer)雷射产生。30.如申请专利范围第21项之方法,另外包含从焦点前,过焦点,及入射焦点选择范围来选择焦点设定。图式简单说明:第一图为依据Engelsberg照射发明方法的从基体移除不需要的材料的方法及装置之示意图。第二图为依据本发明之原理的从基体移除不需要的材料的本发明方法及装置之示意图。第三图为由第一图及第二图之任一装置在基体上所产生的入射辐射区域的几何形状的示意图。第四图A及第四图B为显示范例之一中的气体喷嘴的位置的示意图。第五图A及第五图B为显示辐射束的聚焦平面的配置的示意图。 |
