| 主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,其步骤系包含:在矽基板的表面上,以第一离子注入制程形成微细的裂痕;以第二离子注入制程,将杂质离子注入到矽基板内:其中该第一离子注入制程使用的元素比起第二离子注入制程中所用元素,直径更小、质量更轻,并且进行热处理,使该注入的杂质与矽原子形成共价键结。2.根据申请专利范围第1项的半导体元件制造方法,其中该第一离子注入制程使用的是氩。3.根据申请专利范围第1项的半导体元件制造方法,其中该第一离子注入制程进行时所用的是20至30KeV的低能量。4.根据申请专利范围第1项的半导体元件制造方法,其中该第二离子注入制程所用的是三价元素。5.根据申请专利范围第1项的半导体元件制造方法,其中该第二离子注入制程使用的是五价元素。6.根据申请专利范围第1项的半导体元件制造方法,其中该第二离子注入制程使用的元素是砷。图式简单说明:第一图A和第一图B的元件剖面图,说明了将杂质离注入到半导体元件内的传统方法。第二图A至第二图C的元件剖面图,说明了本发明将杂质离子注入到半导体元件内的方法。 |
