| 主权项 |
1.一种积体电路装置,包括:一耦合至一第一积体电路节点之光调制器;一耦合至一第二积体电路节点之光解调器;一产生一光束之光源;及一光组成件,以光耦合光调制器,光解调器及光源,其中光束系被导引至光调制器,如此可使一经调制之光束响应于位于第一积体电路节点处之一输出信号而自此调制器偏转,光调制器经由经偏转及调制之光束以光耦合至光解调器,如此可使一输入信号响应于输出信号,而于第二积体电路节点处产生。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二积体电路节点包括于第一积体电路晶粒中。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中光调制器及光解调器设置于第一积体电路晶粒之后侧,如此可使光调制器及光解调器自第一积体电路晶粒之后侧,经由第一积体电路晶粒之一半导体基体,分别耦合至第一及第二积体电路节点。4.根据申请专利范围第3项之装置,其中第一积体电路晶粒包括于一浮片晶片封装之积体电路中。5.根据申请专利范围第3项之装置,另外包括以热耦合至第一积体电路晶粒后侧之一热导体,其中光调制器,光解调器,光组成件及光源系设置于热导体内。6.根据申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二节点系分别包括于第一及第二积体电路晶粒中。7.根据申请专利范围第6项之装置,其中光调制器设置于第一积体电路晶粒之后侧,如此可使光调制器自第一积体电路晶粒经由第一积体电路晶粒之一半导体基体而耦合至第一积体电路节点,其中光解调器设置于第二积体电路晶粒之后侧,如此可使光解调器自第二积体电路晶粒之后侧经由第二积体电路晶粒之一半导体基体而耦合至第二积体电路节点。8.根据申请专利范围第7项之装置包括于第一浮片晶片封装之积体电路中及第二积体电路晶粒包括于第二浮片晶片封装之积体电路中。9.根据申请专利范围第7项之装置另外包括一热导体,以其以热耦合至第一积体电路晶粒之后侧及第二积体电路晶粒之后侧,其中光调制器,光解调器,光组成件及光源设置于热导体中。10.根据申请专利范围第2项之装置,其中第一积体电路晶粒包括经由第一积体电路晶粒分别形成第一及第二光通道之第一及第二凹下部分,其中光调制器及光解调器分别设置于第一及第二凹下部分中,如此可使光调制器及光解调器分别经由第一及第二光通道而以光耦合至光组成件。11.根据申请专利范围第10项之装置,其中第一积体电路晶粒包括于一浮片晶片封装之积体电路中。12.根据申请专利范围第11项之装置,其中第一及第二光通道包括透光材料。13.根据申请专利范围第12项之装置,另外包括以热耦合至第一积体电路晶粒之后侧之一热导体,其中光组成件及光源系设置于热导体内。14.根据申请专利范围第6项之装置,其中第一积体电路晶粒包括经由第一积体电路晶粒之后侧形成第一光通道之第一凹下部分,其中第二积体电路晶粒包括经由第二积体晶粒之后侧形成第二光通道之第二凹下部分,其中光调制器设置于第一凹下部分中,如此可使光调制器经由第一光通道而以光耦合至光组成件,及其中光解调器设置于第二凹下部分中,如此可使光解调器经由第二光通道而以光耦合至光组成件。15.根据申请专利范围第14项之装置,其中第一积体电路晶粒包括于一浮片晶片封装之积体电路中及第二积体电路晶粒包括于第二浮片晶片封装之积体电路中。16.根据申请专利范围第15项之装置,其中第一及第二光通道包括透光材料。17.根据申请专利范围第16项之装置,另外包括一热导体,以其以热耦合至第一及第二积体电路晶粒,其中光组成体及光源系设置于热导体中。18.根据申请专利范围第2项之装置,其中光束包括一红外线光束,其中光调制器及光解调器设置于第一积体电路晶粒之一半导体基体中,如此可使光组成件自积体电路晶粒后侧经由红外线光束经由积体电路晶粒之半导体基体,而以光耦合至光调制器及光解调器。19.根据申请专利范围第18项之装置,其中半导体基体包括矽。20.根据申请专利范围第18项之装置,其中第一积体电路晶粒包括于一浮片晶片封装之积体电路中。21.根据申请专利范围第20项之装置,另外包括以热耦合至第一积体电路晶粒后侧之一热导体,其中光组成件及光源系设置于热导体中。22.根据申请专利范围第6项之装置,其中光束包括一红外线光束,其中光调制器设置于第一积体电路晶粒之第一半导体基体中,其中光解调器设置于第二积体电路晶粒之第二半导体基体中,其中光组成件自第一及第二积体电路晶粒后侧,经由第一及第二积体电路晶粒之第一及第二半导体基体经由红外线光束,而以光耦合至光调制器及光解调器。23.根据申请专利范围第22项之装置,其中第一及第二半导体基体包括矽。24.根据申请专利范围第22项之装置,其中第一积体电路晶粒包括于第一浮片晶片封装之积体电路中及第二积体电路晶粒包括于第二浮片晶片封装之积体电路中。25.根据申请专利范围第24项之装置,另外包括一热导体以其耦合至第一及第二积体电路晶粒后侧,其中光组成件及光源设置于热导体中。26.一种于积体电路装置中发送信号之方法,此方法包括以下步骤:使光束自耦合至第一积体电路节点之一光调制器偏转;响应于第一积体电路节点处之一输出信号而调制偏转之光束;经由经调制偏转之光束,将光调制器以光耦合至一光解调器,此光解调器耦合至第二积体电路节点;及将经调制及偏转之光束解调以于第二积体电路节点处产生一输入信号。27.根据申请专利范围第26项之方法,包括以下额外步骤:将光调制器设置于第一积体电路晶粒后侧;将光调制器自第一积体电路晶粒后侧,经由第一积体电路晶粒之一半导体基体耦合至第一积体电路节点;及将光调制器设置于第二积体电路晶粒后侧;将光解调器自第二积体电路晶粒后侧经由第二积体电路晶粒之一半导体基体耦合至第二积体电路节点。28.根据申请专利范围第26项之方法,包括以下额外步骤:于第一积体电路晶粒中,自此第一积体电路晶粒后侧形成第一凹下部分以构成第一光通道;于第一凹下部分中设置光调制器;于第二积体电路晶粒中,自此第二积体电路晶粒后侧形成第二凹下部分以构成第二光通道;及于第二凹下部分中设置光解调器;其中光调制器及光解调器系经由经调制及偏转之光束经由第一及第二光通道而以光耦合。29.根据申请专利范围第26项之方法,包括以下额外步骤:将光调制器设置于第一积体电路晶粒之一半导体基体中;将光解调器设置于第二积体电路晶粒之一半导体基体中;其中光调制器经由第一积体电路之后侧,经由第一积体电路之半导体基体,经由第二积体电路后侧,及经由第二积体电路之半导体基体,而经由经调制及偏转之光束以光耦合至光解调器。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中半导体基体包括矽及光束包括一红外线光束。图式简单说明:第一图A例示根据本发明之教示之一浮片晶片(方可称为倒转晶片)封装之积体电路晶粒及连同有光输入/输出之一附属散热座之横截面图。第一图B例示根据本发明之教示之多个浮片晶片封装之积体电路晶粒,以及连同有光输入/输出之一附属散热座之横截面图。第二图A例示根据本发明之教示之一浮片晶片封装之积体电路晶粒以及连同有设置于沟槽中之光调制器及解调器,及一附属散热座以及光输入/输出之横截面图。第二图B例示根据本发明之教示之多个浮片晶片封装之积体电路晶粒,以及连同有设置于沟槽中之光调制器及解调器,及一附属散热器以及光输入/输出之横截面图。第三图A例示根据本发明之教示之一浮片晶片封装之积体电路晶粒,以及连同有设置于半导体基体中之光调制器及解调器,及一附属散热座以及光输入/输出之横截面图。第三图B例示根据本发明之教示之多个浮片晶片封装之积体电路晶粒,以及连同有设置于半导体基体中之光调制器及解调器,及一附属散热座以及光输入/输出之横截面图。 |
