| 主权项 |
1.一种积体电路内接触窗的清洁方法,其制程系包括以下步骤:a.在半导体基板上形成一层间介电层;b.利用微影和离子蚀刻技术,在该层间介电层内形成一接触窗;c.形成一硬式护罩;d.对所述硬式护罩进行回蚀刻,将所述硬式护罩的水平方向部份去除。2.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,在进行所述硬式护罩的回蚀刻步骤之后,更包含一接触窗的清洁步骤。3.如申请专利范围第2项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述接触窗的清洁步骤系以氢氟酸进行。4.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述层间介电层为氧化矽层。5.如申请专利范围第4项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述氧化矽层为硼磷掺杂自旋玻璃。6.如申请专利范围第4项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述氧化矽层为硼掺杂自旋玻璃。7.如申请专利范围第4项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述氧化矽层为磷掺杂自旋玻璃。8.如申请专利范围第4项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述氧化矽层为无掺杂自旋玻璃。9.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述硬式护罩为与所述层间介电层具有极高的蚀刻选择比的介电质。10.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述硬式护罩系以化学气相沈积法所形成。11.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述硬式护罩为复晶矽层。12.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述硬式护罩为氮化矽层。13.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述硬式护罩为氮氧化矽层。14.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述硬式护罩之厚度约在40埃至100埃之间。15.如申请专利范围第1项之积体电路内接触窗的清洁方法,其中所述回蚀刻系采用非均向性良好的离子蚀刻制程。16.一种积体电路内接触窗的结构,包括以下部份:a.一接触窗在一层间介电层中;b.一硬式护罩在该接触窗的内侧壁。17.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述层间介电层为氧化矽层。18.如申请专利范围第17项之积体电路内接触窗的结构,其中所述氧化矽层为硼磷掺杂自旋玻璃。19.如申请专利范围第17项之积体电路内接触窗的结构,其中所述氧化矽层为硼掺杂自旋玻璃。20.如申请专利范围第17项之积体电路内接触窗的结构,其中所述氧化矽层为磷掺杂自旋玻璃。21.如申请专利范围第17项之积体电路内接触窗的结构,其中所述氧化矽层为无掺杂自旋玻璃。22.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述硬式护罩为与所述层间介电层具有极高的蚀刻选择比的介电质。23.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述硬式护罩系以化学气相沈积法所形成。24.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述硬式护罩为复晶矽层。25.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述硬式护罩为氮化矽层。26.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述硬式护罩为氮氧化矽层。27.如申请专利范围第16项之积体电路内接触窗的结构,其中所述硬式护罩之厚度约在40埃至100埃之间。图式简单说明:第一图是本发明实施例中,形成氧化矽层并形成接触窗的制程剖面图。第二图是本发明实施例中,形成一硬式护罩的制程剖面示意图。第三图是本发明实施例中,对前述硬式护罩进行回蚀刻的制程剖面图。 |
