发明名称 | 光记录介质 | ||
摘要 | 公开了一种具有由相变材料构成的记录层的光记录介质。在该光记录介质结构中,Ac/Aa的比值为0.9或更高,其中Ac为所述记录层处于晶态时的吸收率,Aa为所述记录层处于非晶态时的吸收率。而且,用于促进这种相变材料结晶过程的结晶促进层与上述记录层中的至少一个表面相接触地生成。由于光吸收控制和结晶促进同时进行,晶体和非晶体之间的物理特性差异能够得到可靠补偿。因此,即使在高速传输和高记录密度情况下进行直接写操作,效果也很好。 | ||
申请公布号 | CN1256780A | 申请公布日期 | 2000.06.14 |
申请号 | CN99800168.6 | 申请日期 | 1999.02.24 |
申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 黑田裕儿;笠见裕 |
分类号 | G11B7/24 | 主分类号 | G11B7/24 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种光学记录介质,包括至少由相变材料构成的记录层,其中:Ac/Aa的比值为0.9或更高,Ac为所述的记录层处于晶体状态的吸收率,Aa为所述的记录层处于非晶态时的吸收率,且用于促进相变材料结晶化过程的结晶促进层形成为与所述记录层的至少一个表面接触。 | ||
地址 | 日本东京 |