发明名称 | 形成双镶嵌布线的方法 | ||
摘要 | 在形成双镶嵌布线方法中,在下导电层上形成层间绝缘膜,在层间绝缘膜中形成具有用于通孔图形的开口的抗蚀膜。用抗蚀膜作为掩模腐蚀层间绝缘膜,形成通孔,用腐蚀速率高于层间绝缘膜的材料填充通孔,形成埋置膜。然后,在埋置膜上形成具有用于布线沟槽图形的开口的抗蚀膜,用该抗蚀膜作为掩模,腐蚀埋置膜和层间绝缘膜,在层间绝缘膜上形成布线沟槽。该方法确保了不会留下层间绝缘膜的腐蚀残留物带来的杂质,可形成高质量的布线。 | ||
申请公布号 | CN1258097A | 申请公布日期 | 2000.06.28 |
申请号 | CN99126604.8 | 申请日期 | 1999.12.21 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 池田真义 |
分类号 | H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
主权项 | 1.一种形成双镶嵌布线的方法,包括以下步骤:在下导电层上形成层间绝缘膜;在所述层间绝缘膜上形成第一抗蚀膜,其具有用于孔图形的开口;利用所述第一抗蚀膜作为掩模,腐蚀所述层间绝缘膜,形成孔;用腐蚀速率高于所述层间绝缘膜的材料填充所述孔,形成埋置膜;在所述埋置膜上形成第二抗蚀膜,其具有用于布线沟槽图形的开口;以及用所述第二抗蚀膜作为掩模,腐蚀所述埋置膜和层间绝缘膜,在层间绝缘膜中形成布线沟槽。 | ||
地址 | 日本东京 |