发明名称 形成双镶嵌布线的方法
摘要 在形成双镶嵌布线方法中,在下导电层上形成层间绝缘膜,在层间绝缘膜中形成具有用于通孔图形的开口的抗蚀膜。用抗蚀膜作为掩模腐蚀层间绝缘膜,形成通孔,用腐蚀速率高于层间绝缘膜的材料填充通孔,形成埋置膜。然后,在埋置膜上形成具有用于布线沟槽图形的开口的抗蚀膜,用该抗蚀膜作为掩模,腐蚀埋置膜和层间绝缘膜,在层间绝缘膜上形成布线沟槽。该方法确保了不会留下层间绝缘膜的腐蚀残留物带来的杂质,可形成高质量的布线。
申请公布号 CN1258097A 申请公布日期 2000.06.28
申请号 CN99126604.8 申请日期 1999.12.21
申请人 日本电气株式会社 发明人 池田真义
分类号 H01L21/768;H01L21/28 主分类号 H01L21/768
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 穆德骏;方挺
主权项 1.一种形成双镶嵌布线的方法,包括以下步骤:在下导电层上形成层间绝缘膜;在所述层间绝缘膜上形成第一抗蚀膜,其具有用于孔图形的开口;利用所述第一抗蚀膜作为掩模,腐蚀所述层间绝缘膜,形成孔;用腐蚀速率高于所述层间绝缘膜的材料填充所述孔,形成埋置膜;在所述埋置膜上形成第二抗蚀膜,其具有用于布线沟槽图形的开口;以及用所述第二抗蚀膜作为掩模,腐蚀所述埋置膜和层间绝缘膜,在层间绝缘膜中形成布线沟槽。
地址 日本东京