发明名称 MASK BLANK PHASE-SHIFT-MASK PRODUCTION METHOD PHASE SHIFT MASK AND SEMICONDUCTOR-DEVICE PRODUCTION METHOD
摘要 본 발명은, 투광성 기판 상(10)에, 당해 투광성 기판측으로부터 순서대로 차광막(11) 및 하드 마스크막(13)을 적층한 구조를 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 하드 마스크막은, 규소 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성되고, 상기 차광막은, 크롬을 함유하는 재료로 형성되고, 상기 투광성 기판측으로부터 순서대로 하층(11a), 중간층(11b) 및 상층(11c)의 3층을 적층한 구조를 갖고, 상기 상층은, 크롬의 함유량이 상기 차광막 중에서 가장 적고, 상기 중간층은, 크롬의 함유량이 상기 차광막 중에서 많고, 또한 인듐, 주석 및 몰리브덴으로부터 선택되는 적어도 1 이상의 금속 원소를 함유하고 있다.
申请公布号 KR20160137980(A) 申请公布日期 2016.12.02
申请号 KR20167023751 申请日期 2015.02.24
申请人 호야 가부시키가이샤 发明人 시시도 히로아키;노자와 오사무;우치다 다카시
分类号 G03F1/30;C23C14/06;G03F1/58;G03F1/80 主分类号 G03F1/30
代理机构 代理人
主权项
地址