发明名称 LOW TEMPERATURE PROCESS FOR FABRICATING LAYERED SUPERLATTICE MATERIALS AND MAKING ELECTRONIC DEVICES INCLUDING SAME
摘要 <p>Selon l'invention, on applique (224) un revêtement d'un précurseur liquide contenant un métal sur une première électrode (122, 420), puis on cuit (226) ce revêtement sur une plaque chaude, dans une atmosphère ambiante à base d'oxygène, chauffée à une température n'excédant pas 300 °C, pendant cinq minutes, et on le recuit (228) par traitement thermique rapide, à une température de 675 °C, pendant trente secondes. On recuit (230) ensuite le revêtement dans une atmosphère ambiante à base d'oxygène ou d'azote, à 700 °C, pendant une heure, afin de former une couche mince (124, 422) d'un matériau en couche à super treillis dont l'épaisseur ne dépasse pas 100 nm. On applique une seconde électrode (126, 424), afin de former un condensateur, et on exécute un second recuit (234) dans une atmosphère ambiante à base d'oxygène ou d'azote, à une température ne dépassant pas 700 °C. Si le matériau est du tantalate de strontium bismuth, le précurseur contient u équivalents molaires de strontium, v équivalents molaires de bismuth, et w équivalents molaire de tantale, dans les quantités suivantes : 0,8 &lt; u &lt; 1,0, 2,0 &lt; v &lt; 2,3, et 1.9 &lt; w &lt; 2,1.</p>
申请公布号 WO2000042645(A1) 申请公布日期 2000.07.20
申请号 US2000000566 申请日期 2000.01.10
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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