| 主权项 |
1.一种半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,系利用氟系气体和氧化剂溶解半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层,其特征在于:藉由使含有氧化剂的溶解液中的氟系气体浓度随着时间的经过而增大,以控制初期之溶解速度于较0.02毫微米(nm)/分为大,较2毫微米(nm)/分为小者。2.根据申请专利范围第1项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中藉由将浸入含有氧化剂的溶解液中的半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层暴露于氟系气体中,使扩散于含有氧化剂的溶液中的氟系气体浓度随着时间之经过而增大,以控制初期之溶解速度于较0.02毫微米(nm)/分为大,较2毫微米(nm)/分为小者。3.根据申请专利范围第1项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中在半导体基材表层或形成于半导体基材上的薄膜表层上的框架内表面覆盖硝酸溶液后,藉由暴露于氟系气体中,使扩散于含有氧化剂的溶液中的氟系气体浓度随着时间之经过而增大,以控制初期之溶解速度于较0.02毫微米(nm)/分为大,较2毫微米(nm)/分为小者。4.根据申请专利范围第3项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中在固定于半导体基材表层或形成于半导体基材上的薄膜表层的框架内表面覆盖硝酸溶液后,藉由暴露于氟系气体中,使扩散于含有氧化剂的溶液中的氟系气体浓度随着时间之经过而增大,以控制初期之溶解速度于较0.02毫微米(nm)/分为大,较2毫微米(nm)/分为小者。5.根据申请专利范围第2项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中使用氢氟酸或氟化铵作为氟系气体。6.根据申请专利范围第2项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中使用以下任一种作为氧化剂:硝酸、硝酸中含有醋酸的溶液、硝酸中含有水的溶液、硝酸中含有氢的溶液、硝酸中含有溴的溶液、过氧化氢水、氟化铵。7.根据申请专利范围第2项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中利用氟系气体和氧化剂溶解的半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层种类为以下任一种:单晶矽、多晶矽、非晶矽、添加硼、磷、砷任一种的单晶矽、添加硼、磷、砷任一种的多晶矽、添加硼、磷、砷任一种的非晶矽、金属和矽化钨(W Si)的合金、金属和矽化钼(Mo Si)的合金、金属和铝矽铜(Al Si Cu)的合金、金属和矽化钛(Ti Si)的合金。8.根据申请专利范围第4项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中使用氢氟酸或氟化铵作为氟系气体。9.根据申请专利范围第4项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中使用以下任一种作为氧化剂:硝酸、硝酸中含有醋酸的溶液、硝酸中含有水的溶液、硝酸中含有氢的溶液、硝酸中含有溴的溶液、过氧化氢水、氟化铵。10.根据申请专利范围第4项之半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层之溶解方法,其中利用氟系气体和氧化剂溶解的半导体基材表层或形成于半导体基材上的各种薄膜表层种类为以下任一种:单晶矽、多晶矽、非晶矽、添加硼、磷、砷任一种的单晶矽、添加硼、磷、砷任一种的多晶矽、添加硼、磷、砷任一种的非晶矽、金属和矽化钨(W Si)的合金、金属和矽化钼(Mo Si)的合金、金属和铝矽铜(Al Si Cu)的合金、金属和矽化钛(Ti Si)的合金。11.一种形成于半导体基材表层或形成于半导体基材上的薄膜表层上的各种薄膜表层之溶解装置,其特征在于:具有放置半导体基材(1)的保持台(2);放置前述保持台(2)的框架(3);支架(7);及,收容前述支架(7)的密闭容器(8);在前述框架(3)上设置注入口(11),前述保持台(2)和框架(3)为螺钉(4)所密合固定,前述支架(7)收容在内部充满最少量硝酸溶液的框架(3),前述密闭容器(8)底部之槽(9)中附着氟系气体(10)者。图式简单说明:第一图为显示本发明装置的截面图及概略图。第二图为本发明方法和习知方法的每单位时间的溶解量比较说明图。第三图为习知装置的平面图。第四图为习知装置的截面图。 |
