发明名称 用于圆盘状物件,特别是矽晶圆之载件
摘要 一种圆盘状物件(特别矽晶圆)用之载体(100),其中于载体(100)表面有个环形喷嘴(8),该表面面对该圆盘状物件。面对该物件的表面(10)上有个环(108)。环(108)内至少有个开口(107),由开口(107),管路(l10)导引至可产生负压的装置(lll),且该装置系容纳于载体(100)内。由于环(108)内弥漫着负压,物件固定抵住载体(100)之环(108),环(108)由于伯奴利(Bernoulli)原理被存在于环(108)外侧的负压选择性支撑,且不会于平行表面(10)之方向移位,而无需提供外侧支架如凸轮等。由于不需要外侧支架,故可防止处理液流出圆盘状物件之外。
申请公布号 TW402767 申请公布日期 2000.08.21
申请号 TW085103226 申请日期 1996.03.18
申请人 赛兹半导体设备零件及制造有限公司 发明人 夫朗兹 索姆尼士奇
分类号 H01L21/58 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 /AIT{1.一种用于晶圆状物件(特别是矽晶圆在蚀刻过程中)之载体(100),该晶圆状物件可被引致随着该载体转动,在该载体(100)之面对该物件的较佳圆形的表面(10)上有一环形喷嘴(8),对该表面供应加压气体,且有多个负向加压的开口(107)供应于该载体(100)之面对该物件的表面(10)中,该载体的特征在于,多个彼此同心的环形肋部(120)自该载体(100)之面对该物件的表面(10)突出,并用来做为该物件之撑体;在于,该等环形肋部(120)位于该环形喷嘴(8)之内;在于,该等负向加压的开口(107)位于该径向最外部的和径向最内部的环形肋部(120);在于,一管路(110)自各个负向加压的开口(107)延伸,其导引至一注入器喷嘴(112),该注入器喷嘴系可产生角压并位于该载体(100)中的装置(111);且在于,该环形喷嘴(8)所曝露于其中之加压气体,流经该等注入器喷嘴(12)。}/AIT{2.如申请专利范围第1项之载体,其中各个环形肋部(120),除了该最外部的环形肋部(120)之外,具有至少一中断部份(121)。}/AIT{3.如申请专利范围第1项之载体,其中该等负向加压的开口(107)位于一与该载体(100)之轴同心的圆上,且该在该等环形肋部(120)中之中断部份(121)位于管路上,该管路系导引至该载体(100)之轴的外部以及或是径向至该载体(100)之轴的内部,并自该等开口(107)延伸。}/AIT{4.如申请专利范围第1至3项中之一项之载体,其中该载体(100)之面对该物件的表面的整个部件(10),亦即,该位于该壤形喷嘴(8)之内的部件,具有环形肋部(120)。}/AIT{5.如申请专利范围第1至3项中之一项之载体,其中该最外部的环形肋部(120)位于直接邻近该载体(100)之面对该物件的表面(10)的端缘,亦即,邻接该径向至该内部的环形喷嘴(8)的端缘,的周围。}/AIT{6.如申请专利范围第1至3项中之一项之载体,其中该等负向加压的开口(107)至该载体(100)之轴的距离,小于该载体(100)之面对该物件的表面的部件(10),亦即,该位于该环形喷嘴(8)之内的部件,之半径的一半。}/AIT{7.如申请专利范围第1至3项中之一项之载体,其中使该注入器喷嘴(111)系设置在该等径向孔(105)的室(113),该注入器喷嘴径向导引至一位于该载体(100)中心之通道(14)的外面。}/AIT{8.如申请专利范围第7项之载体,其中该等径向孔(105)之该等室(113)的径向外端上有开口(107)。}/AIT{9.如申请专利范围第7项之载体,其中在各个具有一注入器喷嘴(111)之径向孔(105)之间,有至少一不具注入器喷嘴且径向延伸至该通道(14)之外面的径向孔(105),加压气体系经由该通道(14)被供应。}/AIT{10.如申请专利范围第1至3项中之一项之载体,其中该等具有注入器喷嘴(111)之径向孔(105)以及该等不具注入器喷嘴之径向孔(105),系位于该载体(100)之内部部件(103)。}/tt第一图显示半边剖开的载体;第二图为类似第一图的视图,但显示修改的具体例;及第二图a-第二图d为其他载体具体例之局部横剖面图。
地址 奥地利