发明名称 氮化铝之制备方法
摘要 一种氮化铝粉体之合成方法,其系将铝粉与卤化铵盐粉以适当比例混合后置于一具开口或多孔容器内或模压成适当形状作为反应锭,将此混合物或反应锭置于充满氮气之密闭室中,加热点燃使直接燃烧生成氮化铝。由于卤化铵盐受热分解产生气体,此气体外逸时在反应混合物或反应锭内造成无数孔道,而使氮气易于进入与铝反应,此外,卤化铵盐具有催化铝之氮化反应的功能,因而能在低氮压下(l-10atm)合成高纯度之氮化铝。
申请公布号 TW407136 申请公布日期 2000.10.01
申请号 TW086103021 申请日期 1997.03.11
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段一○六号十八楼 发明人 锺贤龙;余文良
分类号 C01B21/072 主分类号 C01B21/072
代理机构 代理人 陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼;林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1.一种制备氮化铝的方法,包含下列步骤:a)混合一铝粉与一卤化铵盐粉,该铝粉与卤化铵盐粉之重量比介于1:0.005至1:1;b)将所获得混合物置于一氮气气氛中;及c)加热该混合物直到该混合物自行燃烧。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该铝粉与卤化铵盐粉的混合莫耳比介于1:0.35至1:0.7。3.如申请专利范围第2项的方法,其中该铝粉与卤化铵盐粉的混合莫耳比为1:0.5。4.如申请专利范围第1项的方法,其中一作为稀释剂的氮化铝粉被同时与步骤a)的铝纷及卤化铵盐粉以适当比例共同混合。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该氮化铝粉之重量为该铝纷及卤化铵盐粉重量和的1至30%。6.如申请专利范围第5项的方法,其中该氮化铝粉之重量为该铝纷及卤化铵盐粉重量和的10%。7.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤b)的混合物被模压制成一块锭。8.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤b)的混合物被填装于一耐高温的具开口容器内。9.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤b)的混合物被填装于一耐高温的多孔容器内。10.如申请专利范围第1项的方法,其中该卤化铵盐粉为NH4F,NH4Cl,NH4Br或NH4I。11.如申请专利范围第10项的方法,其中该卤化铵盐粉为NH4Cl。12.如申请专利范围第7项的方法,其中该块锭系以8-50kg/cm2的压力模压制成。13.如申请专利范围第7项的方法,其中该块锭系以8-30kg/cm2的压力模压制成。14.如申请专利范围第7项的方法,其中该块锭为圆柱体或其它形状体。15.如申请专利范围第8项的方法,其中该耐高温的具开口容器为一石墨或氮化铝、氮化硼、氧化铝、氧化锆或其它陶瓷材料所制成者。16.如申请专利范围第9项的方法,其中该耐高温的多孔容器为一石墨或氮化铝、氮化硼、氧化铝、氧化锆或其它陶瓷材料所制成者。17.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤c)的加热系以钨丝,钨片,石墨片或石墨带之电阻加热元件通电并靠近该混合物的方式来进行。18.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤c)的加热系以雷射方式来进行。19.如申请专利范围第1项的方法,其进一步包合d)将步骤c)所产生的燃烧产物在其冷却后加予研磨至呈一粉体。20.如申请专利范围第1项至第19项任一项所述的方法,其中步骤b)的氮气气氛系藉抽空一密闭室及充入氮气而形成,且该混合物系预先置于该密闭室内。21.如申请专利范围第20项的方法,其中该密闭室为一可封闭之气密耐高压反应器。22.如申请专利范围第20项的方法,其中该密闭室内的氮气压力介于1至10大气压。23.如申请专利范围第22项的方法,其中该密闭室内的氮气压力介于1至6大气压。图式简单说明:第一图为一适于进行本发明之燃烧合成反应之装置的示意图;及第二图为本发明之燃烧合成反应之热传播状态示意图。
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