| 主权项 |
1.一种晶片型封装(chip scale package,CSP)之制作方法,用来封装一晶圆(wafer),该晶圆包含有复数个区块,每一区块包含有一积体电路设于其内,至少一焊垫(bonding pad)设于其表面,用来电连接该积体电路,以及一第一保护层(passivation layer)设于其表面并位于该焊垫外围,用来保护该积体电路,该制作方法包含有:对该晶圆进行一接合(bonding)制程,使每一焊垫上形成一由复数颗金属球相叠而成且具有一预定高度之柱体;于该保护层上依序形成一第二保护层以及一牺牲层;对该晶圆进行一晶圆研磨(wafer grinding)制程来研磨每一柱体之顶端并使每一柱体之顶端与该牺牲层表面切齐;去除该牺牲层;以及对该晶圆进行一切割制程以使该晶圆之复数个区块分割成复数个晶片型封装。2.如专利申请范围1之制作方法,其中该金属球之主要成份为金(gold)。3.如专利申请范围1之制作方法,其中该第二保护层系以环氧(epoxy)或聚巯亚胺(polyimide)所构成。4.如专利申请范围1之制作方法,其中该第二保护层与牺牲层系以涂布(spin coating)的方式形成于该保护层上。5.如专利申请范围1之制作方法,其中该牺牲层系以一电浆乾蚀刻制程去除。6.如专利申请范围1之制作方法,其中该牺牲层系以一湿蚀刻制程去除。7.如专利申请范围6之制作方法,其中于进行该湿蚀刻制程前,其另包含有一紫外光(UV)照射制程,用来使该牺牲层产生化学变化。 |
