| 主权项 |
1.一种半导体元件之制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成一闸极;在该基底上形成一衬层;以该衬层上形成一绝缘层;进行一非等向性蚀刻程序,以蚀刻该绝缘层,于该闸极之侧壁周缘形成一间隙壁,该间隙壁之顶端的高度与该衬层之上表面的高度相当;以及以湿式蚀刻法蚀刻去除部分该间隙壁,使该间隙壁之顶端的高度低于该闸极之上表面的高度。2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的制造方法,其中,该非等向性蚀程序包括一第一蚀刻步骤与一第二蚀刻步骤。4.如申请专利范围第3项所述之半导体元件的制造方法,其中,该第一蚀刻步骤所使用之气体源包括三氟甲烷与氩气,该第二蚀刻步骤所使用之气体源包括单取代氟化甲烷与氧气。5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件的制造方法,其中该湿式蚀刻法包括热磷酸。6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造方法,其中该湿式蚀刻法包括热磷酸。7.一种半导体元件之制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成一复晶矽层;在该基底上形成一衬层;以该衬层上形成一绝缘层;进行一非等向性蚀刻程序,以蚀刻该绝缘层,于该复晶矽层之侧壁周缘形成一间隙壁,该间隙壁之顶端的高度与该衬层之上表面的高度相当;以湿式蚀刻法蚀刻去除部分该间隙壁,使该间隙壁之顶端的高度低于该复晶矽层之上表面的高度;以及在该复晶矽层所裸露的表面上形成一自动对准金属矽化物。8.如申请专利范围第7项所述之半导体元件的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。9.如申请专利范围第8项所述之半导体元件的制造方法,其中,该非等向性蚀程序包括一第一蚀刻步骤与一第二蚀刻步骤。10.如申请专利范围第9项所述之半导体元件的制造方法,其中,该第一蚀刻步骤所使用之气体源包括三氟甲烷与氩气,该第二蚀刻步骤所使用之气体源包括单取代氟化甲烷与氧气。11.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制造方法,其中该湿式蚀刻法包括热磷酸。12.如申请专利范围第7项所述之半导体元件的制造方法,其中该湿式蚀刻法包括热磷酸。13.一种半导体元件之制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成一闸极;于该基底中形成一轻掺杂源极/汲极区;在该基底上形成一衬层;以该衬层上形成一绝缘层;进行一非等向性蚀刻程序,以蚀刻该绝缘层,于该闸极之侧壁周缘形成一间隙壁,该间隙壁之顶端的高度与该衬层之上表面的高度相当;以湿式蚀刻法蚀刻去除部分该间隙壁,使该间隙壁之顶端的高度低于该闸极之上表面的高度;于该基底中形成一重掺杂源极/汲极区,以使之与经掺杂源极/汲极区组成一源极/汲极区;以及在该闸极所裸露的表面以及该源极/汲极区上形成一自动对准金属矽化物。14.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。15.如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制造方法,其中,该非等向性蚀程序包括一第一蚀刻步骤与一第二蚀刻步骤。16.如申请专利范围第15项所述之半导体元件的制造方法,其中,该第一蚀刻步骤所使用之气体源包括三氟甲烷与氩气,该第二蚀刻步骤所使用之气体源包括单取代氟化甲烷与氧气。17.如申请专利范围第16项所述之半导体元件的制造方法,其中该湿式蚀刻法包括热磷酸。18.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该湿式蚀刻法包括热磷酸。图式简单说明:第一图A至第一图B是习知一种半导体元件之自动对准金属矽化物制程的剖面示意图;第二图A至第二图B是习知一种半导体元件之间隙壁的制造流程的剖面图;第三图系绘示形成第二图B之间隙壁的蚀刻步骤流程图;第四图A至第四图F系依照本发明一较佳实施例之一种半导体元件之制造流程的剖面示意图;以及第五图系绘示形成本发明第四图A至第四图F之间隙壁的蚀刻程序流程图。 |
