发明名称 温度及供电电压补偿之输出缓冲器
摘要 本发明的电路包含电流补偿输出缓冲器(OBC),当暂态杂讯的条件增加而在最差速度情况以最大速度提供操作时,灭小输出切换率,同时在最差杂讯情况抑制杂讯。输出预驱动器级(15,16)的电晶体(M35-M42)用来限制输出级(14)充电及放电率。供电电压(Vcc)和温度补偿电路(BGC)控制这些限制预驱动器电晶体(M35-M42)。补偿电路(BGC)包含随温度增加参考电流(IvREF)且随供电电压(Vcc)之增加而减小该参考电流(IvREF)的长通道电晶体,补偿电路(BGC)提供偏流(IvREFN和IvREFP)给输出级(14)。
申请公布号 TW408337 申请公布日期 2000.10.11
申请号 TW086102693 申请日期 1997.03.06
申请人 德州仪器公司 发明人 库提姆;汤法特;林松伟;寇提姆;罗丹尼;施罗兰
分类号 G11C5/00 主分类号 G11C5/00
代理机构 代理人 蔡中曾 台北巿敦化南路一段二四五号八楼
主权项 1.一种补偿的输出缓冲器,该缓冲器包括:输出级,具有第一和第二输出级信号输入;和第一和第二预驱动级,分别有耦合到第一和第二输出级输入的第一和第二预驱动器输出,分别有第一和第二预驱动器速度控制输入;该第一和第二预驱动器速度控制输入分别耦合到第一和第二偏流,第一和第二偏流的数値随长通道电晶体温度增加。2.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,另包括含有长通道电晶体的补偿电路,其中第一和第二偏流从补偿电路所提供的参考偏流映射。3.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中长通道电晶体使第一和第二偏流从参考电流变化。4.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中长通道电晶体使第一和第二偏流从初参考电流变化,其中初参考电流随供电电压增加而增加。5.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中长通道电晶体使第一和第二偏流从初参考电流变化,其中初参考电流随供电电压增加而增加,其中长通道电晶体使第一和第二偏流随供电电压增加而减小。6.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中第一和第二偏流映射到至少第二输出缓冲器的预驱动器级。7.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中第一和第二偏流是供电电压灵敏的。8.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中第一和第二偏流使输出缓冲器速度在较高温度减小。9.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中四个长通道电晶体的源汲极路径串联,其中该四个长通道电晶体的各闸极接到电源。10.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中长通道电晶体各有6比10的长度对宽度比。11.如申请专利范围第1项的输出缓冲器,其中第一和第二偏流随长通道电晶体之二乘法级的温度增加。12.一种积体电路的输出缓冲电路,输出缓冲电路包括:输出电路,具有第一和第二偏压输入;偏压产生器电路,具有分别耦合到输出电路之第一和第二偏压输入的第一和第二偏压输出;偏压产生器电路另包括:参考电路,供应随供电电压增加的初参考电流;有第一和第二输出电路的补偿电路,补偿电路接收初参考电流并将相参考电流转换成参考偏流,参考偏流送到第一和第二输出电路,第一和第二输出电路将参考偏流转换成第一和第二偏流,第一和第二偏流分别在偏压产生器电路的第一和第二偏压输出供应;补偿电路包含长通道电晶体,长通道电晶体各有对温度改变灵敏的电阻,长通道电晶体增加第一和第二偏流以回应温度增加,减小第一和第二偏流以回应供电电压增加。13.如申请专利范围第12项的输出缓冲电路,其中四个长通道电晶体的源汲极路径串联,其中该四个长通道电晶体的各闸极接到电源。14.一种积体电路的输出缓冲电路,输出缓冲电路包括:输出电路,具有第一和第二偏压输入;偏压产生器电路,具有分别耦合到输出电路之第一和第二偏压输入的第一和第二偏压输出;偏压产生器电路另包括:参考电路,供应初参考电流;有第一和第二输出电路的补偿电路,补偿电路接收初参考电流并将初参考电流转换成参考偏流,参考偏流送到第一和第二输出电路,第一和第二输出电路将参考偏流转换成第一和第二偏流,第一和第二偏流分别在偏压产生器电路的第一和第二偏压输出供应;补偿电路包含长通道电晶体,长通道电晶体各有对温度改变灵敏的电阻,长通道电晶体增加第一和第二偏流以回应温度增加。15.如申请专利范围第14项的输出缓冲电路,其中四个长通道电晶体的源汲极路径串联,其中该四个长通道电晶体的各闸极接到电源。16.如申请专利范围第14项的输出缓冲电路,其中初参考电流随供电电压增加。17.如申请专利范围第14项的输出缓冲电路,其中初参考电流随供电电压增加,其中长通道电晶体减小第一和第二偏流以回应供电电压增加。图式简单说明:第一图是本发明之供电电压VCC和温度补偿电路的示意图;第二图是本发明之输出缓冲器的示意图,包含预驱动器和输出级;第三图显示P通道预驱动器电流和N通道预驱动器电流如何随增大温度增加而随增大供电电压VCC减小。
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