| 发明名称 | 在半导体器件中形成铜布线的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件中的铜布线。另外,本发明说明了在半导体器件中形成铜布线的方法,由于通过设定铜淀积设备的最佳淀积工艺条件,并建立用1,1,1,5,5,5－六氟－2,4－戊二酮－3－基铜。·乙烯三甲氧基硅烷(Ⅰ)化合物作铜前体的MOCVD工艺技术,本发明可以在铜淀积时引起完美的表面吸收反应,所以本发明不仅可以实现铜淀积工艺的重复性而且可以形成优异膜质量的薄铜膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1270413A | 申请公布日期 | 2000.10.18 |
| 申请号 | CN99122345.4 | 申请日期 | 1999.11.02 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 表成奎;金宪度 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;穆德骏 |
| 主权项 | 1.在半导体器件中形成铜布线的方法，包括以下步骤：提供由反应室和供给系统构成的铜淀积设备；将晶片装载在所说反应室中；蒸发所说液体供给系统中的(hfac)Cu(VTMOS)前体；使所说蒸发的(hfac)Cu(VTMOS)前体流入所说反应室；以及利用金属有机化学汽相淀积(MOCVD)工艺在所说晶片上淀积铜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||