发明名称 半导体晶片至基片之焊接
摘要 本发明系关于焊接半导体晶片至基片之方法,例如,诸如至射频功率电晶体(RF-power transistor)中之膜片(capsule)。半导体晶片备置由第一材料组合物组成之黏着层。由第二材料组合物组成之可焊接层系配置在此黏着层上。由第三材料组合物组成之抗氧化层配置在该可焊接层上。以一层金-锡焊料涂布此抗氧化层。经由该金-锡焊料将晶片置于可焊接膜片表面上。将此膜片及晶片曝露至还原气体所传递至之惰性环境中,并使膜片及晶片接受实质上小于大气压之压力,同时将金-锡焊料加热至其熔点以上之温度。于金-锡焊料熔化时增加气压,且当超过预定气压时将温度降低,使得该金-锡焊料将凝固。
申请公布号 TW410537 申请公布日期 2000.11.01
申请号 TW087120940 申请日期 1998.12.16
申请人 LM艾瑞克生电话公司 发明人 拉尔斯安德斯欧罗森
分类号 H05K7/00 主分类号 H05K7/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种焊接一半导体晶片至一基片之方法,例如至一射频功率电晶体中之一膜片,其特征为;以由一第一材料组合物组成之一黏着层涂布半导体晶片;以由一第二材料组合物组成之一可焊接层覆盖此黏着层;以由一第三材料组合物组成之一抗氧化层覆盖该可焊接层;以一金-锡焊料覆盖此抗氧化层;经由该金-锡焊料将晶片置于一膜片之一可焊接面上;将膜片及晶片曝露至还原气体所传递至之一惰性环境中,并使该膜片及晶片接受一实质上于大气压力以下之压力,同时加热金-锡合金至一其熔点温度以上之温度;于金-锡焊料熔化时增加气压;以及当超过预定之气体压力时使温度降低,使得金-锡焊料将凝固。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为第一材料组合物是钛-钨(TiW),第二材料组合物是镍(Ni)及第三材料组合物是金(Au)。3.如申请专利范围第1项之方法,其特征为第一材料组合物是钛(Ti),第二材料组合物是铂(Pt)及第三材料组合物是金(Au)。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征为金-锡焊料之组合物适于补偿其得自于膜片的金,以获得具有共晶熔点或接近该共晶熔点之熔点之最终合金组合物。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征为当膜片包含3-4微米厚之金层时金-锡焊料乃包含75%金及25%锡。6.如申请专利范围第1项之方法,其特征为还原气体是甲酸蒸气。7.一种射频功率电晶体,其包含至少一个射频功率半导体晶片及一个膜片,其特征为该半导体晶片包括由第一材料组合物组成之黏着层、经提供在该黏着层上由第二材料组合物组成之可焊接层、经提供在该可焊接层上由第三材料组合物组成之抗氧化层,其中晶片经由金-锡焊料被配置于可焊接之膜片表面上,其具有之合金组合物系提供共晶熔点或接近该共晶熔点之熔点。8.如申请专利范围第7项之射频功率电晶体,其特征为第一材料组合物是钛-钨(TiW),第二材料组合物是镍(Ni)及第三材料组合物是金(Au)。9.如申请专利范围第7项之射频功率电晶体,其特征为第一材料组合物是钛(Ti),第二材料组合物是铂(Pt)及第三材料组合物是金(Au)。
地址 瑞典
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