主权项 |
1.一种焊接一半导体晶片至一基片之方法,例如至一射频功率电晶体中之一膜片,其特征为;以由一第一材料组合物组成之一黏着层涂布半导体晶片;以由一第二材料组合物组成之一可焊接层覆盖此黏着层;以由一第三材料组合物组成之一抗氧化层覆盖该可焊接层;以一金-锡焊料覆盖此抗氧化层;经由该金-锡焊料将晶片置于一膜片之一可焊接面上;将膜片及晶片曝露至还原气体所传递至之一惰性环境中,并使该膜片及晶片接受一实质上于大气压力以下之压力,同时加热金-锡合金至一其熔点温度以上之温度;于金-锡焊料熔化时增加气压;以及当超过预定之气体压力时使温度降低,使得金-锡焊料将凝固。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为第一材料组合物是钛-钨(TiW),第二材料组合物是镍(Ni)及第三材料组合物是金(Au)。3.如申请专利范围第1项之方法,其特征为第一材料组合物是钛(Ti),第二材料组合物是铂(Pt)及第三材料组合物是金(Au)。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征为金-锡焊料之组合物适于补偿其得自于膜片的金,以获得具有共晶熔点或接近该共晶熔点之熔点之最终合金组合物。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征为当膜片包含3-4微米厚之金层时金-锡焊料乃包含75%金及25%锡。6.如申请专利范围第1项之方法,其特征为还原气体是甲酸蒸气。7.一种射频功率电晶体,其包含至少一个射频功率半导体晶片及一个膜片,其特征为该半导体晶片包括由第一材料组合物组成之黏着层、经提供在该黏着层上由第二材料组合物组成之可焊接层、经提供在该可焊接层上由第三材料组合物组成之抗氧化层,其中晶片经由金-锡焊料被配置于可焊接之膜片表面上,其具有之合金组合物系提供共晶熔点或接近该共晶熔点之熔点。8.如申请专利范围第7项之射频功率电晶体,其特征为第一材料组合物是钛-钨(TiW),第二材料组合物是镍(Ni)及第三材料组合物是金(Au)。9.如申请专利范围第7项之射频功率电晶体,其特征为第一材料组合物是钛(Ti),第二材料组合物是铂(Pt)及第三材料组合物是金(Au)。 |