发明名称 用于一液晶显示器单元的缓冲放大器
摘要 本发明关于一缓冲放大器,其包含第一电晶体、第二电晶体,一电容连接该第一电晶体之一输入端及该第二电晶体之一输出端﹔一电感之一端连接该第一及第二电晶体之基极,且电感之另一端接地﹔及一电阻用以控制该电感之峰化效应(Peaking effect)﹔且其中该第一电晶体之输出端与该第二电晶体之输入端相连。以这种方式,藉峰化效应及用作高通滤波器的电容,可作到宽动态范围。止新颖的缓冲放大器也可用于高电压输出。
申请公布号 TW415144 申请公布日期 2000.12.11
申请号 TW084107334 申请日期 1995.07.15
申请人 万国商业机器公司 发明人 小林芳直;口良民;铃木绿
分类号 H03F3/189 主分类号 H03F3/189
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种缓冲放大器。包括:一放大器;一高通滤波器,连接该放大器之输入及输出端;以及阻抗控制装置,连接该放大器,用于输入讯号在高频频带时升高该放大器之阻抗,使该输入讯号至该高通滤波器。2.根据申请专利范围第1项之缓冲放大器,其中该高通滤波器为一电容。3.根据申请专利范围第1项之缓冲放大器,其中该阻抗控制装置包含电感和一电阻以控制于高频频带时之特性。4.一种缓冲放大器,包括:一电感;一电阻,用以控制该电感之峰化效应;一电晶体,其一输入端连接至该电感之一输出端;及其基极端接地;以及一电容,连接该电感之一输入端至该电晶体之一输出端。5.一种缓冲放大器,包括:一电感,其一端接地;一电阻,用以控制该电感之峰化效应;一电晶体,其一基极端连接至该电感之另一端;及一电容,连接该电晶体之一输入端至其一输出端。6.一种缓冲放大器,包括:一第一电晶体;一第二电晶体;一电容,连接该第一电晶体之一输入端及该第二电晶体之一输出端;一电感,其一端连接至该第一及第二电晶体之基极端,且其另一端接地;以及一电阻,用于控制该电感之峰化效应;其中该第一电晶体之一输出端与该第二电晶体之一输入端相连接。7.一种缓冲放大器,包含:衆多串联的电晶体;一电容,连接至该衆多电晶体中最接近输入处之电晶体的输入端与最接近输出处之电晶体的输出端;一电感,其一端连接该衆多电晶体之一基极端且其另一端接地:以及一电阻,用于控制该电感之峰化效应。8.一种缓冲放大器,包含:衆多串联的电晶体;一电容,连接至该衆多电晶体中最接近输入处之电晶体的输入端与最接近输出处电晶体的输出端;衆多的电感,每一个电惑的一端连接至该衆多电晶体之一的基极,而另一端接地,以及衆多的电阻,用于控制每一该电感之峰化效应。9.一种具有缓冲放大器之半导体装置,包括:一第一电晶体;一第二电晶体;一电容,连接该第一电晶体之输入端与该第二电晶体之一输出端;以及一输出销,其中其一端被连接至该第一与第二电晶体之一基极端,而其另一端同时连接至一电感与控制该电感峰化效应之一电阻。10.一种具有缓冲放大器之半导体装置,包括;一电晶体;一电容,连接该电晶体之一输入端及输出端;以及一输出销,其中其一端被连接至该电晶体之一基极端,而其另一端同时连接至一电感与控制该电感峰化效应之一电阻。11.一种具有缓冲放大器之半导体装置,包括:一输出销,其中其一端连接至一输入处且另一端同时连接一电感及控制该电感峰化效应之一电阻;一电晶体,其一基极端接地;一电容,连接该电晶体之一输入端及该电晶体之一输出端。12.一种液晶显示器显示单元,包括:一液晶显示器显示面板;驱动装置,用以驱动该液晶显示器显示面板;一缓冲放大器,用以提供讯号至该驱动装置;以及一数位/类比转换器用以自一帧缓冲器转换数位影像讯号为类比影像讯号,并提供该类比讯号至该缓冲放大器;其中该缓冲放大器包括:一电感;一电阻,用以控制该电感之峰化效应;一电晶,其一输入端连接至该电感之一输出端且其基极接地;以及一电容,连接该电感之一输入端与该电晶体之一输出端。13.一种液晶显示器显示单元,包括:一液晶显示器显示面板;驱动装置,用以驱动该液晶显示器显示面板;一缓冲放大器,用以提供讯号至该驱动装置;以及一数位/类比转换器,用以自一帧缓冲器转换数位影像讯号为类比影像讯号,并提供该类比讯号至该缓冲放大器;其中该缓冲放大器包括:一电感,其一端接地;一电阻,用以控制该电感之峰化效应;一电晶体,其基极连接至该电感之另一端;以及一电容,连接该电晶体之一输入端至该电晶体之一输出端。图式简单说明:第一图系一基极接地电晶体之一连接图;第二图为第一图之一等效电路图;第三图为本发明之一简图;第四图为第三图之一等效电路图;第五图为本发明不同形式之一简图;第六图为第五图之一等效电路图;第七图为本发明不同形式之一简图,其被修改以得高电压输出。第八图为第七图之频率特性表现;第九图为本发明所实施之一半导体装置之一典型方块图;第十图为包含本发明之一整个液晶显示器单元之一方块图;第十一图为显示相关技艺之一电路图;以及第十二图为第十一图之频率特性表现。
地址 美国