| 主权项 |
1.一种光纤,其中系以矽石为主成分,具有:沿预定轴延伸且含有预定量之氯的芯区;和设在该芯区外围,且含有预定量之氟的包层区域之光纤,其特征为:上述芯区的与纯矽石之比折射率差度之最大値为0.05%以上者。2.如申请专范围第1项之光纤,其中,该芯区中所含有的氯之浓度是从该芯区的周边逐渐向中心增加者。3.如申请专范围第1项之光纤,其中,在该包层区域中的至少一部分是含有氯者。4.如申请专范围第1项之光纤,其中,其在波长1.38m时,由氢氧离子所引起的传送损失之增加量是在0.5dB/km以下者。5.如申请专范围第1项之光纤,其中,其系具有1.34m或比1.34m更长的波长之零分散波长者。6.如申请专范围第1项之光纤,其中,其系对所使用的波段范围之光波,具有100m2以上的有效断面积者。7.如申请专范围第1项之光纤,其中,上述包层区域系包含:设在该芯区的外围,且,其平均折射率是比该芯区的平均折射率为低之内侧包层;和设在该内侧包层的外围,且,其平均折射率是比上述芯区域的折射率为低,而比该内侧包层的平均折射率为高之外侧包层者。8.一种光纤之制造方法,其系制造申请专利范围第1项的光纤所用之制造方法,其特征为包含:形成可作为芯区的多孔玻璃体所用之第1淀积工程;在可使该芯区与纯矽石的比折射率差度之最大値成为0.05%以上程度的含有氯之气体环境中,对上述多孔玻璃体加热所用之脱水处理工程;和,使含有氯的上述多孔玻璃体透明化所用之第1烧结工程者。9.如申请专范围第8项之光纤制造方法,其中包含:在上述第1烧结工程所制成的透明玻璃体之外围,依序淀积可作为包层区域的1层,或1层以上的多孔玻璃层所用之第2淀积工程;和使上述第2淀积工程所制成的1层或1层以上的多孔玻璃层透明化所用之第2烧结工程者。图式简单说明:第一图A系本发明实施例1-4的光纤之断面构造图。第一图B系本发明实施例1-4的光纤之折射率分布图。第二图系作为比较例的纯矽石芯光纤之折射率分布图。第三图系经对实施例的1-4的光纤和比较例的纯矽石芯光纤之模域(mode field)直径和弯曲损失,以模拟试验的结果之曲线图(芯区和包层区域的折射率差度为一定)。第四图A系本发明实施例5的光纤之断面构造图。第四图B系本发明实施例5的光纤之折射率分布图。第五图A-第五图C系本发明的光纤制造工程中,对第1淀积工程(第五图A)、脱水处理工程(第五图B)、及第1烧结工程(第五图C)各工程之说明图。第六图A及第六图B系本发明的光纤制造工程中,对第2淀积工程(第六图A)、及脱水处理工程(第六图B)各工程之说明图。第七图A及第七图B系本发明的光纤制造工程中,对第2烧结工程(第七图A)、及拉线工程(第七图B)各工程之说明图。 |
