双轻掺杂汲极区在动态随机存取记忆体传输电晶体上之形成方法

摘要

一种双轻掺杂汲极区在动态随机存取记忆体传输电晶体上之形成方法。此方法简述如下:首先提供一基底，接着于基底上形成一闸极。之后，以闸极为罩幕，于基底中形成第一掺杂区。接着，在闸极之一侧壁上，形成间隙壁。继之，于闸极与间隙壁所裸露之基底中，形成融合部分第一掺杂区之第二掺杂区。继之进行一趋入制程，以使第一掺杂区之边缘侧边扩散至闸极下方之基底中以及使第二掺杂区之边缘侧边扩散至间隙壁下方之基底中，并形成一双轻掺杂汲极区，可达到低漏电流及高驱动电流的动态随机存取记忆胞内传出电晶体要求。

主权项

1.一种双轻掺杂汲极的形成方法,其包括:提供一基底;于该基底上形成一闸极;于该闸极所暴露之该基底中,形成一第一掺杂区;于该闸极之一侧壁上,形成一间隙壁,于该闸极与该间隙壁所裸露之该基底中,形成融合部分该第一掺杂区之一第二掺杂区;以及进行一趋入制程,以使该第一掺杂区之边缘侧边扩散至该闸极下方之该基底中以及使该第二掺杂区之边缘侧边扩散至该间隙壁下方之该基底中,形成一双轻掺杂汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之双轻掺杂汲极的形成方法,其中该形成第一掺杂区之离子掺杂能量约为15-30keV。3.如申请专利范围第1项所述之双轻掺杂汲极的形成方法,其中该形成第二掺杂区之离子掺杂能量约为15-30keV。4.如申请专利范围第1项所述之双轻掺杂汲极的形成方法,其中该第一掺杂区之离子掺杂剂量约为51012/cm2-91012/cm2。5.如申请专利范围第1项所述之双轻掺杂汲极的形成方法,其中该第二掺杂区之离子掺杂剂量约为51012/cm2-91012/cm2。6.如申请专利范围第1项所述之双轻掺杂汲极的形成方法,其中该第一掺杂区之掺杂离子包括磷离子。7.如申请专利范围第1项所述之双轻掺杂汲极的形成方法,其中该第二掺杂区之掺杂离子包括磷离子。图式简单说明:第一图A至第一图D所示,为根据本发明一较佳实施例之形成双轻掺杂汲极之方法的流程简图。