控制半导体闸极关键尺寸的方法

摘要

一种利用控制图案化光阻层线宽的方法进而控制闸极之关键尺寸。在金属氧化半导体形成闸极时，先全面沉积复晶矽层和矽化金属层于矽基材之上，然后进行光阻之图案定义。光阻层形成时系增加约O.Ol到0.05微米左右的线宽。当以显影后检查量测到平均的线宽之后，将此数值输入资料库中，并自动的调整适当的光阻蚀刻修整参数和蚀刻时间，以便将光阻线宽自动的修整到规定的数值。当光阻层的线宽经过修整之后，可进行同步及/或非同步的闸极层蚀刻。藉由本方法的光阻层事先修整，光阻层的粗糙度可有效改善，且闸极关键尺寸可得到较佳的控制，并且不需要再经过重工的制程。

主权项

1.一种控制半导体制程之线宽的方法,该方法至少包含:形成第一导电层于半导体基材上;涂布并形成图案化光阻层于该第一导电层上;测量该图案化光阻层之线宽;将该线宽输入资料库中并进行该光阻层之蚀刻;及蚀刻该第一导电层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在进行该光阻层之蚀刻前,该光阻层的线宽将比规格値约大0.01到0.05微米左右。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,系以含氧电浆加以蚀刻。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之氧气通入量约在20-50sccm左右。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,更通入约10-40sccm左右之氯气。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,所通入的气体更包括由HBr,N2,CHF3,或CH2F2等气体所组成的群集其中之一。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,反应室系维持约10-30mTorr左右之压力。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,蚀刻功率约在200-300W左右。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,偏压功率约在10-40W左右。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,所使用的为导电型式的乾式蚀刻机。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤可和该蚀刻该第一导电层之步骤同步进行。12.一种控制闸极尺寸之方法,该方法至少包含:形成第一导电层于半导体基材上,该第一导电层系为闸极层;涂布并形成图案化光阻层于该第一导电层上;测量该图案化光阻层之线宽値,并得到平均之该线宽値;将该平均线宽値输入资料库中并进行该光阻层之蚀刻,其中系以含氧之电浆加以蚀刻;及蚀刻该第一导电层。13.如申请专利范围第12项之方法,其中进行该光阻层之蚀刻前,该光阻层的线宽将比规格値约大0.01到0.05微米左右。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之氧气通入量约在20-50sccm左右。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,更通入约10-40sccm左右之氯气。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,所通入的气体更包括由HBr,N2,CHF3,或CH2F2等气体所组成的群集其中之一。17.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,反应室系维持约10-30mTorr左右之压力。18.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,蚀刻功率约在200-300W左右。19.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,偏压功率约在10-40W左右。20.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤中,所使用的为导电型式的乾式蚀刻机。21.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之蚀刻该光阻层之步骤可和该蚀刻该第一导电层之步骤同步进行。图式简单说明:第一图所示为依照传统方法形成图案化光阻层后以显影后检查结合统计制程所得之曲线图;第二图所示为依照本发明之方法来控制图案化光阻层,进而控制闸极线宽的流程图;第三图所示为依照本发明之方法来微调蚀刻光阻层的曲线图;第四图所示为依照本发明之方法来蚀刻光阻层后其外观粗糙度的改善图形;