| 主权项 |
1.一种用于连锁装置(interlock)的侦错电路,该侦错电路至少包含:至少一个指示电路,当有异常状态时,该指示电路输出一异常指示讯号,其中该异常指示讯号包含一警示灯号以及一异常指示电压;恒流源,用以提供每一该指示电路固定的电流;比较电路,因应于该异常指示电压与一参考电压,用以当该异常指示电压高于该参考电压,则该比较电路产生一比较电路输出讯号;及侦错讯号输出装置,因应于该比较电路输出讯号,用以产生一侦错讯号。2.如申请专利范围第1项之侦错电路,更包含第一保护装置及第二保护装置,其中该第一保护装置用以保护上述恒流源,该第二保护装置用以保护上述比较电路,该第一保护装置耦合于上述恒流源与上述指示电路之间,且该该第二保护装置耦合于上述比较电路与上述指示电路之间。3.如申请专利范围第2项之侦错电路,其中上述侦错电路更包含一参考电压源,用以产生上述参考电压。4.如申请专利范围第1项之侦错电路,其中上述每一指示电路至少包含:一感应开关,在异常状态时,该感应开关为开路状态;及一警示灯号产生器,具有一阳极及一阴极,该警示灯号产生器之该阳极耦合于该感应开关之一端,该警示灯号产生器之该阴极耦合于该感应开关之另一端。5.如申请专利范围第4项之侦错电路,其中上述每一指示电路更包含一连结器,该警示灯号产生器系藉由该连结器耦合于该感应开关。6.如申请专利范围第4项之侦错电路,其中上述感应开关系由磁簧开关、压力开关以及温度开关所组成之族群中所选出。7.如申请专利范围第4项之侦错电路,其中上述警示灯号产生器系为发光二极体(LED)。8.如申请专利范围第1项之侦错电路,其中上述恒流源至少包含:第一电阻;第二电阻;第一齐纳二极体(zener diode),具有一阳极以及一阴极,该第一齐纳二极体的该阴极耦合至上述电源端;第一电晶体,具有一射极、一集极以及一基极,该第一电晶体的该射极系藉由一第一电阻耦合至一电源端,该第一电晶体的该基极系藉由第二电阻耦合至接地端,且该第一电晶体的该基极亦耦合至该第一齐纳二极体的该阳极,然后该第一齐纳二极体的该阴极再耦合至该电源端,该第一电晶体的该集极藉由上述第一保护装置耦合至上述指示电路。9.如申请专利范围第1项之侦错电路,其中上述恒流源系为一电流二极体。10.如申请专利范围第1项之侦错电路,其中上述参考电压源至少包含:第五电阻;第六电阻;第七电阻;第二齐纳二极体,具有一阳极(p端)及一阴极(n端),该齐纳二极体的该阴极系藉由第五电阻耦合至上述电源端,该第二齐纳二极体的该阳极系藉由第二发光二极体耦合至上述接地端,且该第二齐纳二极体的该阳极亦藉由串连的该第六电阻该以及该第七电阻耦合至上接地端;及第二发光二极体,该第二发光二极体具有一阳极(p端)及一阴极(n端),该第二发光二极体的该阳极耦合至该第二齐纳二极体的该阳极,该第二发光二极体的该阴极耦合至上述接地端。11.如申请专利范围第1项之侦错电路,其中上述比较电路系为一运算放大器(OP AMP),该运算放大器具有一反向输入端、一非反向输入端以及一输出端,其中该运算放大器的该反向输入端藉由上述第二保护装置耦合至上述指示电路,用以输入上述异常指示电压,且该运算放大器的该非反向输入端藉由上述第七电阻耦合至上述接地端,用以输入上述参考电压。12.如申请专利范围第1项之侦错电路,其中上述侦错讯号输出装置至少包含:第八电阻;第九电阻;第十电阻;第二发光二极体,具有一阳极(p端)以及一阴极(n端),该第二发光二极体的该阳极藉由该第十电阻耦合至上述电源端;第二电晶体,具有一射极、一基极以及一集极,其中该第二电晶体的该基极藉由该第八电阻耦合至上述比较电路的上述输出端,该第二电晶体的该基极亦藉由该第九电阻耦合至上述接地端,该第二电晶体的该射极耦合至上述接地端,该第二电晶体的该集极耦合至该第二发光二极体的该阴极,且上述侦错讯号系指该第二电晶体的该集极输出。13.一种用于连锁装置(interlock)的侦错电路,该侦错电路至少包含:至少一个第一部分,当有异常状态时,该第一部分会产生一比较电路输出讯号,该侦错电路的该第一部分至少包含:至少一个指示电路,当有异常状态时,该指示电路输出一异常指示讯号,该异常指示讯号包含一警示灯号以及一异常指示电压;恒流源,用以提供该每一指示电路固定的电流;参考电压源,用以产生一参考电压;比较电路,因应于该异常指示电压与该参考电压,若该异常指示电压高于该参考电压,则该比较电路产生一比较电路输出讯号;及第二部分,因应于该比较电路输出讯号,以产生一第二部分输出讯号;第三部分,因应于该第二部分输出讯号,以产生一侦错讯号,用以启动该连锁装置,并提醒使用者有异常状态。14.如申请专利范围第13项之侦错电路更包含第一保护装置及第二保护装置,其中该第一保护装置用以保护上述恒流源,该第二保护装置用以保护上述比较电路,该第一保护装置耦合于上述恒流源与上述指示电路之间,且该该第二保护装置耦合于上述比较电路与上述指示电路之间。15.如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述每一指示电路至少包含:一感应开关,在异常状态时,该应开关为路状态;及一警示灯号产生器,具有一阳极及一阴极,该警示灯号产生器之该阳极耦合于该感应开关之一端,该警示灯号产生器之该阴极耦合于该感应开关之另一端。16.如申请专利范围第15项之侦错电路,其中上述每一指示电路更包含一连结器,该警示灯号产生器系藉由该连结器耦合于该感应开关。17.如申请专利范围第15项之侦错电路,其中上述感应开关系由磁簧开关、压力开关以及温度开关所组成之族群中所选出。18.如申请专利范围第15项之侦错电路,其中上述警示灯号产生器系为发光二极体(LED)。19.如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述恒流源至少包含:第一电阻;第二电阻;第一齐纳二极体(zener diode),具有一阳极及一阴极;及第一电晶体,具有一射极、一集极以及一基极,该第一电晶体的该射极系藉由第一电阻耦合至一电源端,该第一电晶体的该基极系藉由第二电阻耦合至接地端,且该第一电晶体的该基极亦藉由该第一齐纳二极体耦合至该电源端,该第一电晶体的该集极藉由上述第一保护装置耦合至上述指示电路。20如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述恒流源系为一电流二极体。21.如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述参考电压源至少包含:第五电阻;第六电阻;第七电阻;第二齐纳二极体,该二齐纳二极体具有一阳极(p端)及一阴极(n端),该齐纳二极体的该阴极系藉由第五电阻耦合至上述电源端,该第二齐纳二极体的该阳极系藉由第二发光二极体耦合至上述接地端,且该第二齐纳二极体的该阳极亦藉由串连的该第六电阻该以及该第七电阻耦合至上接地端;及第二发光二极体,该第二发光二极体具有一阳极(p端)及一阴极(n端),该第二发光二极体的该阳极耦合至该第二齐纳二极体的该阳极,该第二发光二极体的该阴极耦合至上述接地端。22.如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述比较电路系为一运算放大器(OP AMP),该运算放大器具有一反向输入端、一非反向输入端以及一输出端,其中该运算放大器的该反向输入端藉由上述第二保护装置耦合至上述指示电路,用以输入上述异常指示电压,且该运算放大器的该非反向输入端藉由上述第七电阻耦合至上述接地端,且以输入上述参考电压。23.如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述侦错电路之上述第二部分系一逻辑“及"闸(AND gate)。24.如申请专利范围第23项之侦错电路,其中上述侦错电路之上述第二部分至少包含:复数个二极体,每一该复数个二极体具有一阳极以及一阴极,其中每一该复数个二极体的该阳极系耦合至每一上述比较电路的上述输出端,每一该复数个二极体的阳极系耦合在一起,以作为上述第二部分的输出端,且该复数个二极体的数量与上述侦错电路的上述第一部分相同。25.如申请专利范围第13项之侦错电路,其中上述侦错讯号输出装置至少包含:第八电阻;第九电阻;第十电阻;第二发光二极体,具有一阳极(p端)以及一阴极(n端),该第二发光二极体的该阳极藉由该第十电阻耦合至上述电源端;第三齐纳二极体(zener diode),该第三齐纳二极体具有一阳极(p端)以及一阴极(n端),该第三齐纳二极体的该阴极耦合至上述第二部分的输出端,且该第三齐纳二极体的该阴极藉由该第八电阻耦合至上述电源端;第二电晶体,具有一射极、一基极以及一集极,其中该第二电晶体的该基极耦合至该第三齐纳二极体的该阳极,该第二电晶体的该基极亦藉由该第九电阻耦合至上述接地端,该第二电晶体的该射极耦合至上述接地端,该第二电晶体的该射极耦合至上述接地端,该第二电晶体的该集极耦合至该第二发光二极体的该阴极,且上述侦错讯号系由该第二电晶体的该集极输出。26.一种用于连锁装置(interlock)的侦错电路,该侦错电路至少包含:一参考电压源,用以产生一参考电压;至少一个第一部分,该第一部分至少包含:至少一个指示电路,当有异常状态时,该指示电路输出一异常指示讯号,该异常指示讯号包含一警示灯号以及一异常指示电压;恒流源,用以提供该每一指示电路所需之电流源;比较电路,因应于该异常指示电压与该参考电压,若该异常指示电压高于该参考电压,则该比较电路产生一比较电路输出讯号;第二部分,因应于该比较电路输出讯号,以产生一第二部分输出讯号;及第三部分,因应于该第二部分输出讯号,以产生一侦错讯号,用以启动该连锁装置,并提醒使用者有异常状态。27.如申请专利范围第26项之侦错电路更包含第一保护装置及第二保护装置,其中该第一保护装置用以保护上述恒流源,该第二保护装置用以保护上述比较电路,该第一保护装置耦合于上述恒流源与上述指示电路之间,且该该第二保护装置耦合于上述比较电路与上述指示电路之间。28.如申请专利范围第27项之侦错电路,其中上述第一保护装置系为第二电阻。29.如申请专利范围第27项之侦错电路,其中上述第二保护装置系为第三电阻。30.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述每一指示电路至少包含:一感应开关,在异常状态时,该应开关为路状态;及一警示灯号产生器,具有一阳极及一阴极,该警示灯号产生器之该阳极耦合于该感应开关之一端,该警示灯号产生器之该阴极耦合于该感应开关之另一端。31.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述每一指示电路更包含一连结器,该警示灯号产生器系藉由该连结器耦合于该感应开关。32.如申请专利范围第30项之侦错电路,其中上述感应开关系由磁簧开关、压力开关以及温度开关所组成之族群中所选出。33.如申请专利范围第30项之侦错电路,其中上述警示灯号产生器系为发光二极体(LED)。34.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述恒流源至少包含:第一电阻;第二电阻;第一齐纳二极体(zener diode),具有一阳极及一阴极;及第一电晶体,具有一射极、一集极以及一基极,该第一电晶体的该射极系藉由第一电阻耦合至一电源端,该第一电晶体的该基极系藉由第二电阻耦合至接地端,且该第一电晶体的该基极亦藉由该第一齐纳二极体耦合至该电源端,该第一电晶体的该集极藉由上述第一保护装置耦合至上述指示电路。35.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述恒流源系为一电流二极体。36.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述参考电压源至少包含:第五电阻;第六电阻;第七电阻;第二齐纳二极体,该二齐纳二极体具有一阳极(p端)及一阴极(n端),该齐纳二极体的该阴极系藉由第五电阻耦合至上述电源端,该第二齐纳二极体的该阳极系藉由第二发光二极体耦合至上述接地端,且该第二齐纳二极体的该阳极亦藉由串连的该第六电阻该以及该第七电阻耦合至上接地端;及第二发光二极体,该第二发光二极体具有一阳极(p端)及一阴极(n端),该第二发光二极体的该阳极耦合至该第二齐纳二极体的该阳极,该第二发光二极体的该阴极耦合至上述接地端。37.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述比较电路系为一运算放大器(OP AMP),该运算放大器具有一反向输入端、一非反向输入端以及一输出端,其中该运算放大器的该反向输入端藉由上述第二保护装置耦合至上述指示电路,用以输入上述异常指示电压,且该运算放大器的该非反向输入端藉由上述第七电阻耦合至上述接地端,用以输入上述参考电压。38.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述侦错电路之上述第二部分系一逻辑“及"闸(AND gate)。39.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述侦错电路之上述第二部分至少包含:复数个二极体,每一该复数个二极体具有一阳极以及一阴极,其中每一该复数个二极体的该阳极系耦合至每一上述比较电路的上述输出端,每一该复数个二极体的阳极系耦合在一起,以作为上述第二部分的输出端,且该复数个二极体的数量与上述侦错电路的上述第一部分相同。40.如申请专利范围第26项之侦错电路,其中上述侦错讯号输出装置至少包含:第八电阻;第九电阻;第十电阻;第二发光二极体,具有一阳极(p端)以及一阴极(n端),该第二发光二极体的该阳极藉由该第十电阻耦合至上述电源端;第三齐纳二极体(zener diode),该第三齐纳二极体具有一阳极(p端)以及一阴极(n端),该第三齐纳二极体的该阴极耦合至上述第二部分的输出端,且该第三齐纳二极体的该阴极藉由该第八电阻耦合至上述电源端;第二电晶体,具有一射极、一基极以及一集极,其中该第二电晶体的该基极耦合至该第三齐纳二极体的该阳极,该第二电晶体的该基极亦藉由该第九电阻耦合至上述接地端,该第二电晶体的该射极耦合至上述接地端,该第二电晶体的该集极耦合至该第二发光二极体的该阴极,且上述侦错讯号系由该第二电晶体的该集极输出。图式简单说明:第一图为一习知的连锁装置侦错电路。第二图为本创作之连锁装置侦错电路的功能方块图。第三图(a)为本创作之连锁装置侦错电路的实施例。第三图(b)亦为本创作之连锁装置系错电路的实施例。第四图(a)系用以说明当有数个链结时,本创作之连锁装置侦错电路的实施例。第四图(b)系用以说明当有数个链结时,本创作之连锁装置侦错电路的另一实施例。 |
