| 主权项 |
1.一种埋入式电容器下电极之制造方法,其步骤包括:(a)提供一掺有第一型杂质之矽基底,并且在该矽基底内定义出一沟渠;(b)形成一第一氧化层适顺性地覆盖该沟渠之内壁;(c)利用光学微影程序以及回蚀刻技术于该沟渠底部填入一定深度之光阻;(d)利用液相沉积法形成一第二氧化层适顺性地覆盖该第一氧化层表面;(e)去除位在该沟渠底部之该光阻;(f)去除该沟渠内未被该第二氧化层所覆盖之第一氧化层,使得该沟渠底部之矽基底侧壁裸露出来;(g)形成一掺有第二型杂质之矽玻璃层,适顺性地覆盖于该第二氧化层和该沟渠底部之矽基底侧壁上;(h)形成一保护层于该掺有杂质之矽玻璃层上;(i)施一退火处理,使得该掺有杂质之矽玻璃层内所含的杂质往该沟渠底部之矽基底侧壁内部扩散驱入,形成一掺杂区,作为埋入式电容器之下电极;以及(j)去除该保护层、该矽玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一氧化层是氧化矽,其厚度约为5-100。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一氧化层是利用乾式氧化法形成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化层是利用液相沈积法形成,其厚度约为100-300。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤f)是以湿浸渍法(wet dip)将未被该第二氧化层所覆盖之该第一氧化层去除。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该保护层是四乙氧基矽化物层所构成,其厚度约为100-300。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一型是P型,第二型是N型。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该该掺有第二型杂质之矽玻璃层是砷矽玻璃(AsSG)或磷矽玻璃(PSG)。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一型是N型,第二型是P型。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该掺有第二型杂质之矽玻璃层是硼矽玻璃(BSG)。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该退火处理是于温度900-1200℃之氮气环境中进行,为时10分-50分。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤j)是以湿蚀刻法将该保护层、该矽玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层去除。13.一种埋入式电容器下电极之制造方法,其步骤包括:(a)提供一掺有第一型杂质之矽基底;(b)形成一包含有一露出该基底表面之开口的硬罩幕层于该基底上;(c)以该硬罩幕层作为蚀刻罩幕,蚀刻去除该开口下所裸露的基底,并且于该基底内形成一沟渠;(d)形成一第一氧化层适顺性地覆盖该硬罩幕层表面和该沟渠之内壁;(e)利用光学微影程序形成一第一光阻于该第一氧化层上,并且将该沟渠填满;(f)回蚀刻去除位在该硬罩幕上方以及部分位在该沟渠内之该第一光阻,形成一沟填于该沟渠底部之第二光阻;(g)利用液相沉积法形成一第二氧化层适顺性地覆盖该硬罩幕层表面和该沟渠内之该第一氧化层表面;(h)去除位在该沟渠底部之该第二光阻;(i)去除该沟渠内未被该第二氧化层所覆盖之第一氧化层,使得该沟渠底部之矽基底侧壁裸露出来;(j)形成一掺有第二型杂质之矽玻璃层,适顺性地覆盖于该第二氧化层和该沟渠底部之矽基底侧壁上;(k)形成一保护层于该掺有杂质之矽玻璃层上;(l)施一退火处理,使得该掺有杂质之矽玻璃层内所含的杂质往该沟渠底部之矽基底侧壁内部扩散驱入,形成一掺杂区,作为埋入式电容器之下电极;以及(m)去除该保护层、该矽玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一氧化层是氧化矽,其厚度约为5-100。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一氧化层是利用乾式氧化法形成。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二氧化层是利用液相沈积法形成,其厚度约为100-300。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该步骤i)是以湿浸渍法(wet dip)将未被该第二氧化层所覆盖之该第一氧化层去除。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该保护层是四乙氧基矽化物层所构成,其厚度约为100-300。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一型是P型,第二型是N型。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该该掺有第二型杂质之矽玻璃层是砷矽玻璃(AsSG)或磷矽玻璃(PSG)。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一型是N型,第二型是P型。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该掺有第二型杂质之矽玻璃层是硼砂玻璃(BSG)。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该退火处理是于温度900-1200℃之氮气环境中进行,为时10分-50分。24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该步骤m)是以湿蚀刻法将该保护层、该矽玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层去除。图式简单说明:第一图A-第一图E显示的是习知一种埋入式电容器之下电极板的剖面制程。第二图A-第二图F显示的是根据本发明之一较佳实施例的埋入式电容器之下电极板的剖面制程。 |
