半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，其特征系具备:将具有 Si－H基之芳香族化合物或复素环式化合物及H2O2导入收容半导体基板之反应室内，使其在665Pa以下真空中，一10℃以上十10℃以下温度范围内互相反应，俾左上述半导体基板上获得以Si一H基促进回流之平坦性良子之中间反应生成物之工程及由于使上述工程所得中间反应生成物产生脱水反应，实施热处理，以获得具有回流形状，具有网状构造之电容率低之矽系氧化膜之工程。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,其特征系具备:将具有Si-H基之芳香族化合物或复素环式化合物及H2O2导入收容半导体基板之反应室内,使其在665Pa以下真空中,-10℃以上+10℃以下温度范围内互相反应,俾在上述半导体基板上获得以Si-H基促进回流之平坦性良子之中间反应生成物之工程及由于使上述工程所得中间反应生成物产生脱水反应,实施热处理,以获得具有回流形状,具有网状构造之电容率低之矽系氧化膜之工程。2.一种半导体装置之制造方法,即具备:在半导体基板上之配线上形成绝缘膜之工程,及以旋转敷膜将具有Si-H基之芳香族化合物或复素环式化合物涂布于上述绝缘膜形成后之半导体基板上之工程,及使上述工程涂布之化合物产生脱水反应实施热处理之工程。图式简单说明:第一图:概略表示本发明之半导体装置之制造方法使用之半导体装置之一例之构成说明图。第二图:表示本发明之半导体装置之制造方法有关之层间绝缘膜形成工程采用回流绝缘膜形成技术之多层配线工程一例之断面图。