| 主权项 |
1.一种无边界接触窗开口之制造方法,其适用于一基底,而该基底中已形成有一元件隔离结构,该方法包括:进行一离子植入步骤与一加热制程,以在该元件隔离结构中形成一蚀刻终止层;在该基底上形成一闸极,其中在该闸极之侧壁形成有一间隙壁,且在该闸极两侧之该基底中形成有一源极/汲极区;形成一平坦化之绝缘层于该基底上;以及蚀刻部分该绝缘层,以在该绝缘层中形成一暴露出该源极/汲极区之接触窗开口,其中该蚀刻步骤停止于蚀刻终止层上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入步骤中所植入的掺质离子包括N2+。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该元件隔离结构的材质包括氧化矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻终止层的厚度约100-200埃左右。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻终止层的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该氮化矽层系由该植入步骤中之该掺质与该元件隔离结构中之该氧化矽反应所形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该离子植入步骤所施加的能量约为10-20KeV,离子植入的剂量约为1E17atoms/cm2。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该加热制程的温度约为1000℃,历时约1小时左右。8.一种接触窗开口之制造方法,该方法包括:提供一基底,且该基底中已形成有一元件隔离结构;进行一N2+离子植入步骤与一加热制程,以在该元件隔离结构中靠近上表面之处形成一氮化矽层;在该基底上形成一闸极,及在该闸极两侧之该基底中形成一源极/汲极区;形成一平坦化之绝缘层于该基底上;以及蚀刻部分该绝缘层,以该氮化矽层为蚀刻终止层,在该绝缘层中形成一暴露出该源极/汲极区之接触窗开口。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该绝缘层和该元件隔离结构与该氮化矽层的材质不同。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度约100-200埃左右。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该N2+离子植入步骤所施加的能量约为10-20KeV。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该N2+离子植入步骤中所植入的离子剂量约为IE17atoms/cm2。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该加热制程温度约为1000℃,历时约1小时左右。14.一种无边界接触窗之制造方法,该方法包括:提供一基底,在该基底上依序沉积一垫氧化层与一罩幕层;图案化该罩幕层与该垫氧化层,以暴露出该基底;以该图案化之罩幕层与垫氧化层为蚀刻罩幕,在该基底中形成一沟渠;在该沟渠中填入一第一绝缘层,以在该基底中形成一元件隔离结构;进行一N2+离子植入步骤与一加热制程,以在该元件隔离结构中形成一氮化矽层;去除该罩幕层与该垫氧化层;在该基底上形成一闸极,其中在该闸极之侧壁形成一间隙壁,且在该闸极两侧之该基底中形成一源极/汲极区;形成一平坦化之第二绝缘层于该基底上;蚀刻部分该第二绝缘层,以该氮化矽层为蚀刻终止层,在该第二绝缘层中形成一暴露出该源极/汲极区之接触窗开口;以及在该接触窗开口中填入一导电层,以形成一接触窗插塞。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一绝缘层和该第二绝缘层与该氮化矽层的材质不同。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该氮化矽层的厚度约100-200埃左右。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该N2+离子植入步骤所施加的能量约为10-20KeV,剂量约为1E17atoms/cm2。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该加热制程温度约为1000℃,历时约1小时左右。图式简单说明:第一图系习知一种无边界接触窗开口之剖面示意图;第二图A-第二图B系习知一种无边界接触窗开口制造方法之流程剖面示意图;以及第三图A-第三图C系习知一种无边界接触窗开口制造方法之流程剖面示意图;第四图A-第四图C系依照本发明一较佳实施例,一种无边界接触窗制造方法之流程剖面示意图。 |
