| 主权项 |
1.一种有机EL元件,系具有穿孔注入电极及电子注入电极,于此等电极间有助于发光功能之有机层,于前述有机层有含共轭聚合物之发光层,及于此有机层及穿孔注入电极之间阻塞电子,同时具有运送穿孔而用的通道之高电阻的无机穿孔注入输送层。2.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机穿孔注入输送层系电阻系数1-11011cm。3.如申请专利范围第1项或第2项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机穿孔注入输送层系含有金属及/或金属之氧化物、碳化物、氮化物、矽化物及硼化物之任一种。4.如申请专利范围第1项或第2项之有机EL元件,其中前述高电阻之无机穿孔注入输送层系以矽及/或锗之氧化物为主成分,此主成分以(Si1-xGex)Oy表示时0≦x≦1,1.7≦y≦2.2,两者功函数4.5eV的金属及/或金属之氧化物、碳化物、氮化物、矽化物及硼化物之任一种以上。5.如申请专利范围第4项之有机EL元件,其中前述金属为Au、Cu、Fe、Ni、Ru、Sn、Cr、Ir、Nb、Pt、W、Mo、Ta、Pd及Co之任一种以上。6.如申请专利范围第4项之有机EL元件,其中前述金属及/或金属之氧化物、碳化物、氮化物、矽化物及硼化物之含有量在0.2-40mol%。7.如申请专利范围第1项或第2项之有机EL元件,其中前述高电阻之穿孔输送层之膜厚为0.2-100nm。图式简单说明:第一图为表示本发明之有机EL元件之第一基本构成的概略截面图。第二图为表示本发明之有机EL元件之第二基本构成的概略截面图。第三图为表示本发明之有机EL元件之构成例的概略截面图。第四图为表示习用的有机EL元件之其他构成例的概略截面图。 |
