发明名称 有机光发电装置及其制造方法
摘要 本发明揭示一种电发光装置之制造方法,其步骤包括:形成复数个沿相同纵向延伸的第一电极条纹于一基底表面;形成复数个绝缘切割边墙条纹于该沿相同纵向延伸的该第一电极条纹上,并且与该第一电极条纹互相垂直;形成一含有电洞输送层的有机层、一发光层以及一电子输送层于该些切割边墙条纹上,并且形成一第二电极层于该有机层上;附着一封闭的玻璃盖使其可覆盖该第一电极、该切割边墙、该有机层和该第二电极,以及并且将该封闭玻璃盖之内部掏空;以及利用雷射光由该封闭玻璃盖之外部开始照射至该用以分隔该第二电极和该有机层之切割边墙,以在该切割边墙上形成一分割沟。由于藉由熔化来隔离第二电极之步骤是在真空中进行,因此利用光子-削除(photo- ablation)贯穿封闭玻璃盖之内表面并且将其内部掏空的金属晶片ll便不会与隔离区互相污染,故可避免第二电极产生短路,并且可增加此制程之产率。
申请公布号 TW439390 申请公布日期 2001.06.07
申请号 TW087119299 申请日期 1998.11.20
申请人 电气股份有限公司 发明人 福真一;铃木博
分类号 H05B33/20 主分类号 H05B33/20
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种制造电发光装置的方法,其步骤包括:形成复数个沿相同纵向延伸的第一电极条纹于一基底表面;形成复数个绝缘切割边墙条纹于该沿相同纵向延伸的该第一电极条纹上,并且与该第一电极条纹互相垂直;形成一含有电洞输送层的有机层、一发光层以及一电子输送层于该些切割边墙条纹上,并且形成一第二电极层于该有机层上;附着一封闭的玻璃盖使其可覆盖该第一电极、该切割边墙、该有机层和该第二电极,以及并且将该封闭玻璃盖之内部掏空;以及利用雷射光由该封闭玻璃盖之外部开始照射至该用以分隔该第二电极和该有机层之切割边墙,以在该切割边墙上形成一分割沟。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该分割层是由一种薄膜所形成,其材料式选自氧化矽、氮化矽、正型和负型光阻以及乾薄膜光阻所构成的之族群。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二电极是是由选自含有钛之金属以及含有钛和碳之金属所构成之族群其中之一种金属所构成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该雷射光是一种波长低于250nm的脉冲式振荡雷射光。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该封闭的玻璃盖是先以胶黏在该玻璃基底上,附着后再将该封闭玻璃盖之内部掏空。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该封闭的玻璃盖是由可让波长250nm之光线穿透的材料构成,且此材料较佳的是选自一种石英或者人造石英所构成之族群。图式简单说明:第一图显示的是根据本发明之制程中的一剖面图式。第二图A-第二图D显示的是根据本发明之第一实施例所进行的电发光装置的剖面制程。第三图A-第三图C显示的是根据本发明之第一实施例所进行的电发光装置的平视制程。第四图显示的是根据本发明制造出来的有机电发光装置的部分爆炸图。第五图A-第五图D显示的是根据本发明之第二实施例以制造电发光装置的剖面制程。第六图A-第六图E显示的是习知一种用以制造有机电发光装置的剖面制程。第七图A-第七图E显示的是习知一种用以制造有机电发光装置的剖面制程。第八图A-第八图E显示的是习知一种用以制造有机电发光装置的剖面制程。
地址 日本