| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备有:层积于基板上之层间绝缘膜;贯通上述层间绝缘膜而形成之接点;于上述层间绝缘膜上构成图案,并连接于上述接点而配置之上层配线;以及以绝缘性物质所成之侧壁覆盖于上述上层配线侧面,将上述上层配线与上述层间绝缘膜的表面段差藉由上述侧壁形成缓和的倾斜形态。2.一种半导体装置,系具备有:层积于基板上之层间绝缘膜;贯通上述层间绝缘膜而形成之接点;于上述居间绝缘膜上构成图案,并连接于上述接点而配置之上层配线;以绝缘性物质所成之侧壁覆盖于上述上层配线侧面,将上述上层配线与上述层间绝缘膜的表面段差藉由上述侧壁形成缓和的倾斜形态;其特征在:该半导体装置包括:于涵盖上述上层配线及上述侧壁面表面的领域上,藉由介电体膜而层积之胞板,并形成有由上述上层配线、上述介电体膜以及上述胞板等所构成之电容器者。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上层配线系为障壁金属及导电性配线图案的积层构造,而上述障壁金属即接于贯通层间绝缘膜的接点者。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,贯通层间绝缘膜之接点的第1领域系与上层配线重叠,且在较上述第1领域表面形成位置为低之位置上形成表面,而不与上述上层配线重叠的上述接点之第2领域上则形成凹陷,并将侧壁的一部埋设于上述凹陷者。5.一种半导体装置之制造方法,系具备有:于基板上层积层间绝缘膜的制程;形成异通上述层间绝缘膜之接点的制程;于上述层间绝缘膜上构成图案,并形成连接配置于上述接点之上层配线的制程;以绝缘性物资所成之侧壁覆盖于上述上层配线侧面,将上述上层配线与上述层间绝缘膜的表面段差,以上述侧壁形成缓和的倾斜形态之制程;以及于上述上层配线及上述侧壁与上述层间绝缘膜表面上层积绝缘膜之制程。6.如申请专利范围第5项之半导体装置之制造方法,其中,另具备:于涵盖上层配线及侧壁表面的领域,层积介电体膜的制程,及于上述介电体膜表面形成胞板(cell plate)的制程,以获取由上述上层配线、上述介电体膜、上述胞板等所构成之电容器者。图式简单说明:第一图为表示本发明实施形态1的半导体装置的示意图。第二图为表示本发明实施形态1的半导体装置之制程图。第三图为表示本发明实施形态2的半导体装置的示意图。第四图为表示本发明实施形态3的半导体装置的示意图。第五图为表示本发明实施形态4的半导体装置的示意图。第六图为表示习用技术的示意图。 |
