| 主权项 |
1.一种半导体雷射装置,其特征为:具备雷射固定件,及固装于上述雷射固定件之主面的半导体雷射元件;在与上述雷射固定件之主面相反侧之面设有凹部,在上述凹部,一体地形成有导热系数比上述雷射固定件大的散热体者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中,上述雷射固定件的凹部之底部厚度系20m以上且100m以下者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体金属所成者。4.一种半导体雷射装置,其特征为:具备基板,及固装于上述基板之主面上之半导体雷射元件,及设于上述基板上,且检出从外部所入射之光的光检出器;在与上述基板之主面相反侧之面设有凹部,在与上述凹部,一体地形成有导热系数比上述基板大的散热体者。5.如申请专利范围第4项所述之半导体雷射装置,其中,又具备设于上述基板上,且将上述半导体雷射元件所出射之雷射光对于上述基板之主面大约垂直地反射的反射镜者。6.如申请专利范围第4项所述之半导体雷射装置,其中,从上述基板之上述主面至上述凹部之底面为止之距离系20m以上且100m以下者。7.如申请专利范围第4项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体系金属所成者。8.一种半导体雷射装置,其特征为:具备形成于雷射固定件上,且导热系数比上述雷射固定件大的散热体层,及固装于上述散热体层上的半导体雷射元件。9.如申请专利范围第8项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层之厚度系50m以下者。10.如申请专利范围第8项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系金属所成者。11.如申请专利范围第8项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系金属所成且该散热体层之厚度系50m以下者。12.如申请专利范围第8项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系其构成元素为碳者。13.一种半导体雷射装置,其特征为:具备形成于基板之主面上,且导热系数比上述基板大之散热体层,及固装于上述散热体层上之半导体雷射元件,及设于上述基板上,且检出从外部入射之光的光检出器。14.如申请专利范围第13项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层之厚度系50m以下者。15.如申请专利范围第13项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系金属所成者。16.如申请专利范围第13项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系金属所成且该散热体层之厚度系50m以下者。17.如申请专利范围第13项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系其构成元素为碳者。18.如申请专利范围第13项所述之半导体雷射装置,其中,又具备设于上述基板上,且将上述半导体雷射元件所出射之雷射光对于上述基板之主面大约垂直地反射镜者。19.如申请专利范围第18项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系金属所成且该散热体层之厚度系50m以下者。20.如申请专利范围第18项所述之半导体雷射装置,其中,上述散热体层系其构成元素为炭者。图式简单说明:第一图系表示本发明之第1实施形态之半导体雷射装置的构成剖面图。第二图(a)至第二图(d)系表示本发明的半导体雷射装置之制造方法的过程顺序剖面图。第三图系表示本发明之第1实施形态的半导体雷射装置之雷射固定件之凹部的底部厚度与热电阻之关系的图表。第四图系表示本发明之第1实施形态之半导体雷射装置与第1以往例之半导体雷射装置之动作电流及动作时间之关系的图表。第五图系表示本发明之第2实施形态之半导体雷射装置的构成剖面图。第六图系表示本发明之第3实施形态之半导体雷射装置的构成剖面图。第七图(a)至第七图(c)系表示本发明之第3实施形态的半导体雷射装置之制造方法的过程顺序剖面图。第八图系表示本发明之第3实施形态的半导体雷射装置之散热体层之厚度与热电阻之关系的图式。第九图系表示本发明之第3实施形态之半导体雷射装置与第1以往例之半导体雷射装置之动作电流及动作时间之关系的图表。第十图系表示本发明之第3实施形态之一变形例之半导体雷射装置的构造剖面图。第十一图系表示本发明之第4实施形态之半导体雷射装置的构造剖面图。第十二图系表示本发明之第4实施形态之一变形例之半导体雷射装置的构造剖面图。第十三图系表示作为第1以往例之半导体雷射装置的构成剖面图。第十四图系表示作为第2以往例之半导体雷射装置的构成剖面图。第十五图系表示作为第3以往例之半导体雷射装置的构成剖面图。 |
