| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含下列步骤:在半导体基体上或在形成于半导体基体上之半导体元件上形成绝缘层;在该绝缘层上形成沟槽;在该沟槽之底部形成连接孔洞;在该沟槽和该连接孔洞之表面上和在该绝缘层上形成导体;经由对该导体施加高温和高压而将该导体埋入该沟槽内;以及利用CMP法移去该绝缘层上之导体,而在该沟槽及该连接孔洞中形成包含该导体之电极线。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该导体含有主要由选自Cu、Al、Ag和Pt所组成群组中之材料组成之合金,或含有选自纯Cu、纯Al、纯Ag和纯Pt所组成群组中之金属。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该导体层之厚度大于该连接孔洞之直径之0.8倍和小于5m。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该导体层之厚度大于该连接孔洞之直径之1.2倍和小于3m。5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该导体之形成是在其形成步骤之第一阶段以低温形成,和在其形成步骤之第二后续阶段以高温形成。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中该导体首先于25至150℃之温度形成50至200nm,然后于高温形成所希望之厚度。7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中用来将该导体埋入该沟槽所施加之温度和压力分别为300至850℃和50M至90Mpa。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中用来将该导体埋入该沟槽所施加之温度和压力分别为350至750℃和65M至50Mpa。9.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中更包含有在该电极线之形成抗反射膜之步骤。10.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含下列步骤:在半导体基体上或在形成于半导体基体上之半导体元件上形成绝缘层;在该绝缘层上形成沟槽;在该沟槽之底部形成连接孔洞;在该沟槽和该连接孔洞之表面上形成障壁层;在该沟槽和该连接孔洞内之障壁层上和在该绝缘层上,形成导体;经由对该导体施加高温和高压而将该导体埋入该沟槽内;以及利用CMP法移去该绝缘层上之导体,而在该沟槽及该连接孔洞中形成包含该导体之电极线。11.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其中该障壁层包含选自TiN/Ti、Ti和Ti/TiN/Ti所组成群组中之金属。图式简单说明:第一图至第八图是依照本发明之制造方法之顺序之半导体装置之部份之剖面图;第九图本发明之制造方法之另一具体例之半导体装置之主要部份之剖面图;和第十图至第十四图是依照先前技术之制造方法之顺序之半导体装置之主要部份之剖面图。 |
