| 主权项 |
1.一种介面设备,包括:介于输入差动对(INN;INP)与介面输出(OUT)间之串级连接的差动前置放大器(HPA1,HPA2)及比较器(DA),其特征为该差动前置放大器包括第一(HPA1)与第二(HPA2)半前置放大器,每一个该半前置放大器具有第一(-)及第二(+)输入,以及连接到该比较器(DA)不同输入的输出(OUT1;OUT2),该第一半前置放大器(HPA1)的第一输入(-)连接到该介面设备的第一输入(INN),并经由第一输入反相器装置(NN1;PN1)耦合到该第一半前置放大器的输出(OUT1),同时该第一半前置放大器(HPA1)的第二输入(+)连接到该介面设备的第二输入(INP),并经由包括电流镜装置(PM1,PM2;NM1,NM2)的第二输入反相器装置(NP1,PM1,PM2;PP1,NM1,NM2)耦合到该输出(OUT1),电流镜装置用以相对于该第一输入反相器装置的输出电流反转该第二输入反相器装置的输出电流,该第二半前置放大器(HPA2)与该第一半前置放大器(HPA1)相同,以及该第二半前置放大器(HPA2)的第一输入(-)连接到该介面设备的第二输入(INP),同时第二半前置放大器(HPA2)的第二输入(+)连接到该介面设备的第一输入(INN)。2.如申请专利范围第1项的介面设备,其特征是该第一输入反相器装置(NN1;PN1)包括第一NMOS电晶体(NN1),与第一PMOS电晶体(PN1)串连于第一电源供应端(Vss)与第二电源供应端(Vdd)之间,该介面设备的第一输入(INN)连接到该第一NMOS(NN1)及第一PMOS(PN1)电晶体每一个的闸极,以及,该串连电晶体(NN1,PN1)的接合点连接到该半前置放大器的输出(OUT1;OUT2)。3.如申请专利范围第1项的介面设备,其特征是该第二输入反相器装置(NP1,PM1,PM2,PP1,NM1,NM2)包括第一及第二反相电路,该第一反相器电路包括第二NMOS电晶体(NP1),与镜射输入PMOS电晶体(PM1)串连于第一电源供应端(Vss)与第二电源供应端(Vdd)之间,该第二反相器电路包括第二PMOS电晶体(PP1),与镜射输入NMOS电晶体(NM1)串连于该第一(Vss)与该第二(Vdd)电源供应端之间,该第二输入反相器装置还包括一镜射输出NMOS电晶体(NM2),与镜射输出PMOS电晶体(PM2)串连于该第一(Vss)与该第二(Vdd)电源供应端之间,该镜射输入PMOS电晶体(PM1)的闸极与汲极连接到该镜射输出PMOS电晶体(PM2)的闸极,以及该镜射输出NMOS电晶体(NM1)的闸极与汲极连接到该镜射输出NMOS电晶体(NM2)的闸极,以及该串连镜射输出电晶体(NM2,PM2)接合点连接到该半前置放大器的输出(OUT1;OUT2)。4.如申请专利范围第3项的介面设备,其特征是电流源(I1)配置于该镜射输入PMOS电晶体(PM1)的闸极与该镜射输入NMOS电晶体(NM1)的闸极之间。5.如申请专利范围第1项的介面设备,其特征是该半前置放大器每一个进一步包括输出装置,包括一输出NMOS电晶体(NO1),与一输出PMOS电晶体(PO1)串连于第一电源供应端(Vss)与第二电源供应端(Vdd)之间,该输出NMOS与PMOS电晶体的闸极连接到该半前置放大器的输出(OUT1;OUT2),以及它们的接合点。6.如申请专利范围第1项的介面设备,其特征是在每一个半前置放大器(HPA1;HPA2)中,该第一输入是反相输入(-),该第二输入是非反相输入(+)。7.如申请专利范围第6项的介面设备,其特征是该比较器(DA)是一差动放大器,以及该第一半前置放大器的输出(OUT1)连接到该比较器的第一输入,同时,该第二半前置放大器的输出(OUT2)连接到该比较器的第二输入。8.如申请专利范围第2.3或4项的介面设备,其特征是该第一电源供应端(Vss)是接地,该第二电源供应端(Vdd)是供应电压。图式简单说明:第一图是本发明的快速介面设备;第二图显示构成第一图之部分快速介面设备之半前置放大器(HPA1)的NMOS分路;以及第三图显示包括第二图之分路的半前置放大器(HPA1)。 |
