| 主权项 |
1.一种半导体装置,系属于一种在形成配线图案的挠性基板上,透过接着剂来设置半导体元件和保持件之半导体装置,其特征为:前述接着剂至少设于与前述半导体元件平面重叠的前述挠性基板上之第1区域、和与前述保持件平面重叠的前述挠性基板上之第2区域。2.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中将导电粒子分散在前述接着剂,利用前述导电粒子让前述半导体元件的电极与前述配线图案做导电连接。3.如申请专利范围第2项记载之半导体装置,其中在除了连接形成在前述半导体元件的前述电极与前述配线图案之区域的前述配线图案上,形成保护层。4.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述保持件系至少形成一层绝缘层。5.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述保持件系以覆盖前述半导体元件的方式被配置。6.如申请专利范围第5项记载之半导体装置,其中前述保持件系利用热传导性高的材料形成。7.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述第2区域系形成在前述第1区域的周围。8.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述保持件系为确保前述挠性基板的平坦性。9.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述保持件系较前述半导体元件的厚度为厚。10.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中在与设有前述挠性基板的前述接着剂的面相对之面,形成与前述配线图案导电连接的多数个外部电极。11.如申请专利范围第1项至第10项之任一项记载之半导体装置,其中前述保持件系做成围住前述半导体元件的形状。12.一种电路基板,其特征系安装有:在形成配线图案的挠性基板上,透过接着剂来设置半导体元件和保持件之半导体装置,系前述接着剂至少设于与前述半导体元件平面重叠的前述挠性基板上之第1区域、和与前述保持件平面重叠的前述挠性基板上之第2区域。13.一种电子机器,其特征系具有:在形成配线图案的挠性基板上,透过接着剂来设置半导体元件和保持件之半导体装置,系前述接着剂至少设于与前述半导体元件平面重叠的前述挠性基板上之第1区域、和与前述保持件平面重叠的前述挠性基板上之第2区域。14.一种半导体装置之制造方法,其包含有:在形成配线图案的挠性基板上设接着剂之工程、和在前述挠性基板上的第1区域,利用前述接着剂来接着形成在半导体元件的电极与前述配线图案之工程、和在与前述第1区域不同的前述挠性基板上的第2区域利用前述接着剂来黏贴前述挠性基板与保持件之工程。15.如申请专利范围第14项记载之半导体装置之制造方法,乃将前述半导体元件载置在前述接着剂上,并在前述半导体元件与前述挠性基板之间施加压力,予以接着前述半导体元件。16.如申请专利范围第15项记载之半导体装置之制造方法,其中将导电粒子分散在前述接着剂,利用施加的压力,将前述半导体元件的电极和前述配线图案,藉由前述导电粒子做导电连接。17.如申请专利范围第14项记载之半导体装置之制造方法,其中将前述保持件载置在前述接着剂上,藉由在前述保持件与前述挠性基板之间施加压力,予以接着前述保持件。18.如申请专利范围第17项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述保持件与前述挠性基板之间施加压力的工程,系在前述半导体元件与前述挠性基板之间施加压力的工程之后进行的。19.如申请专利范围第17项记载之半导体装置之制造方法,其中前述保持件系以覆盖前述半导体元件的方式被装置。20.如申请专利范围第15项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述保持件与前述挠性基板之间施加压力的工程,系与在前述半导体元件与前述挠性基板之间施加压力的工程同时进行的。21.如申请专利范围第14项至第20项之任一项记载之半导体装置之制造方法,其中前述接着剂系以具有热硬化性的材料形成的;包含将前述半导体元件及前述保持件,透过前述接着剂而黏贴在前述挠性基板之后,予以加热前述接着剂之工程。图式简单说明:第一图系表示有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法图。第二图系表示有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法图。第三图系表示有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法图。第四图系表示有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法图。第五图系表示有关本发明之实施形态之半导体装置之制造方法图。第六图系表示本发明之实施形态变形例图。第七图系表示有关本实施形态之电路基板图。第八图系表示具备有实装应用有关本发明所制造的半导体装置的电路基板的电子机器之图。 |
