| 发明名称 | 磁阻装置和利用磁阻装置的磁性存储器 | ||
| 摘要 | 一种磁阻装置,具有一个第一磁性层,一个非磁性层,和一个第二磁性层,非磁性层插在第一和第二磁性层之间,第一和第二磁性层具有垂直的磁各向异性。第一磁性层或第二磁性层由一种补偿点处于室温附近的铁磁体制成。 | ||
| 申请公布号 | CN1310481A | 申请公布日期 | 2001.08.29 |
| 申请号 | CN01111379.0 | 申请日期 | 2001.01.06 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 林秀和;道嶋正司;南方量二 |
| 分类号 | H01L43/08;G11C11/15 | 主分类号 | H01L43/08 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 1．一种磁阻装置，包括一个第一磁性层，一个非磁性层，和一个第二磁性层，非磁性层插在第一和第二磁性层之间，第一和第二磁性层具有垂直的磁各向异性，其特征在于：磁阻装置具有的结构使得可以对其记录磁化信息，并且记录的磁化信息稳定地保持在其中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||