发明名称 降低磁场泄漏的阴极射线管装置
摘要 两个闭回路线圈被分别设置在一阴极射线管的顶部及底部处。这两个闭回路线圈成对地作为一消去线圈。各闭回路线圈被定置成会与自转向轭漏出的磁场泄漏成互连,该闭回路线圈的一部分几乎平行于一前面板的有效显示区域之顶部或底部边缘延伸。
申请公布号 TW454218 申请公布日期 2001.09.11
申请号 TW089105784 申请日期 2000.03.29
申请人 松下电子工业股份有限公司 发明人 内田由纪夫;岩本智昭;岩崎 胜世
分类号 H01J29/76 主分类号 H01J29/76
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种阴极射线管装置,其系包含:一具有一前面板及一玻锥之阴极射线管;一电子枪,被设置在该玻锥的一颈部内且将电子束投射在该前面板的一内部表面上;一转向轭,被设置在该玻锥上位于该颈部处且将该电子枪所投射的该等电子束转向;及一具有至少个闭回路线圈之消去线圈,其与一自该转向轭漏出的磁场泄漏成互连,且在一方向上产生一磁场以便消去该磁场泄漏,其中各闭回路线圈被设置在一第一位置或一第二位置,该第一位置系在该阴极射线管的一顶部处,让该闭回路线圈之一部分沿着该前面板的一有效显示区域的一顶部边缘展开,且该第二位置是在该阴极射线管的一底部处,让该闭回路线圈之一部分沿着该有效显示区域的一底部边缘展开。2.如申请专利范围第1项之阴极射线管装置,其中该闭回路线圈进一步靠近该前面板的右及左转角和靠近该转向轭在一前面板侧之一开口展开。3.如申请专利范围第1项之阴极射线管装置,其系进一步包含:一加强箍,被设置在该前面板的一外部边缘上;其中有第一及第二耳部在分别对应于该前面板的右上及左上转角之预定位置处形成于该加强箍上,其中该等闭回路线圈中之至少一个在该等第一及第二耳部以下沿着该有效显示区域的该顶部边缘展开,且靠近该转向轭在一前面板侧之一开口。4.如申请专利范围第1项之阴极射线管装置,其系进一步包含:一加强箍,被设置在该前面板的一外部边缘上;其中有第一及第二耳部在分别对应于该前面板的右下及左下转角之预定位置处形成于该加强箍上,其中该等闭回路线圈中之至少一个在该等第一及第二耳部以下沿着该有效显示区域的底部边缘展开,且靠近该转向轭在一前面板侧之一开口。5.如申请专利范围第1项之阴极射线管装置,其系进一步包含:一校正线圈,其与该转向轭的一水平转向线圈串联连接,且被用来校正交叉未会聚现象,其中各闭回路线圈的另一部分被磁性耦合于该校正线圈,使得该消去线圈在该方向上产生该磁场以便消去该磁场泄漏。6.如申请专利范围第5项之阴极射线管装置,其中各闭回路线圈的其他部分被设置成绕着该校正线圈,俾与该校正线圈成磁性耦合。7.如申请专利范围第6项之阴极射线管装置,其中该校正线圈被固定在一设置于该转向轭之一外部表面上方在一预定位置处的板子上。8.如申请专利范围第1项之阴极射线管装置,其中该消去线圈的闭回路线圈在该闭回路线圈的一点接地。9.一种阴极射线管装置,其系包含:一具有一前面板及一玻锥之阴极射线管;一电子枪,被设置在该玻锥的一颈部内且将电子束投射在该前面板的一内部表面上;一转向轭,包括一水平转向线圈,且被设置在该玻锥上位于该颈部处,及将该电子枪所投射的该等电子束转向;一有电流通过的第一线圈,该电流与通过该水平转向线圈的一转向电流之变化同步地变化;及一具有至少一个闭回路线圈之第二线圈,其与自该转向轭漏出的磁场泄漏成互连,且在一方向上产生一磁场以便消去该磁场泄漏,其中各闭回路线圈之一部分被磁性耦合于该第一线圈,使得一电动势生成而使一磁场产生在与经由和该磁场泄漏互连所产生的磁场相同之方向上,藉此进一步消去该磁场泄漏。10.如申请专利范围第9项之阴极射线管装置,其中该第一线圈是一个用以校正交叉未会聚现象之校正线圈,且与该水平转向线圈串联连接。11.如申请专利范围第10项之阴极射线管装置,其中该闭回路线圈的该部分被设置成绕着该校正线图,以磁性耦合于该校正线圈。12.如申请专利范围第11项之阴极射线管装置,其中该校正线圈被固定在一个设置于该转向轭之一外部表面上方在一预定位置处的板子上。13.如申请专利范围第9项之阴极射线管装置,其中各闭回路线圈被设置在一第一位置或一第二位置处,且相对于该转向轭的一开口而朝向该前面板侧配置,该第一位置系在该阴极射线管的一顶部处,让该闭回路线圈之一部分沿着该前面板的一有效显示区域的一顶部边缘展开,且该第二位置是在该阴极射线管的一底部处,让该闭回路线圈一部分沿着该有效显示区域的一底部边缘展开。图式简单说明:第一图是一水平转向线圈及该第一先前技术的一消去线圈之一示意性电路图;第二图是一水平转向线圈及该第二先前技术的一消去线圈之一示意性电路图;第三图是本发明第一实施例的一CRT装置之一透视外形图;第四图是该第一实施例的CRT装置之示意性前视图;第五图是该第一实施例的CRT装置之一侧面图;第六图是一个图式,帮忙解释一个由闭回路线图所产生的消去磁场及一个来自一转向轭的磁场泄漏间之关系,该关系是自第四图所示的CRT装置之左侧观看;第七图是显示在第一实施例中测量磁场泄漏的结果之表格;第八图显示该等磁场泄漏被测量之位置;第九图是显示在第一实施例中测量电场泄漏的结果之表格;第十图是本发明第二实施例的一CRT装置之一透视外形图;第十一图A是第二实施例的CRT装置之一水平转向线圈、一差动线圈、及一闭回路线圈之示意性电路图;第十一图B显示一水平输出电路,用以将一水平转向电流供应至该水平转向线圈及该差动线圈;第十二图显示出在该第二实施例中,该闭回路线圈的一部分被设置成绕着该差动线圈;第十三图显示在第二实施例中的该差动线圈及该闭回路线圈间之一磁性耦合部分的一构造例子;第十四图是显示在该第二实施例中测量磁场泄漏的结果之表格;第十五图是显示在该第二实施例中测量电泄漏的结果之表格。
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