| 主权项 |
1.一种金属半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成一闸极;于该闸极侧壁形成一间隙壁;以该闸极和该间隙壁为离子植入罩幕,进行离子植入制程,于该基底中形成一淡掺杂区,其中所植入的剂量约介于1013原子/平方公分至1015原子/平方公分之间;以及于该闸极和该淡掺杂区的表面形成一金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中于该间隙壁形成之前,更包括以该闸极为离子植入罩幕,进行离子植入制程,以于该基底中形成另一淡杂区,而所植入的剂量约介于1013原子/平方公分至1015原子/平方公分之间,且此次之离子植入制程所植入的剂量小于前次之离子植入制程所植入的剂量。3.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中于该基底上形成该闸极之前,更包括于该基底中形成一井区。4.如申请专利范围第1项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛、矽化钴、矽化镍和矽化铂择一。5.一种金氧半电晶体的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成一闸极;以该闸极为离子植入罩幕,进行离子植入制程,于该基底中形成一淡掺杂区,其中所植入的剂量约介于1013原子/平方公分至1015原子/平方公分之间;于该闸极侧壁形成一间隙壁;以及于该闸极和该淡掺杂区的表面形成一金属矽化物层。6.如申请专利范围第5项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中于该基底上形成该闸极之前,更包括于该基底中形成一井区。7.如申请专利范围第5项所述之金氧半电晶体的制造方法,其中该金属矽化物层包括矽化钛、矽化钴、矽化镍和矽化铂择一。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示根据本发明一较佳实施例之一种金氧半电晶体的制造流程剖面图;第二图系绘示根据本发明另一较佳实施例之一种金氧半电晶体的剖面图;以及第三图系绘示根据本发明另一较佳实施例之一种金氧半电晶体的剖面图。 |
